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公开(公告)号：CN106517165B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201610975637.1
申请日：2016-11-07
申请人： 山东大学 , 山东本源晶体科技有限公司
IPC分类号： C01B32/188 , C01B32/186
摘要： 本发明涉及一种在6H/4H‑SiC硅面上用金属辅助内外碳源结合法生长石墨烯的方法，该方法通过高温加热将SiC晶片表面的Si‑C键部分裂解，然后急剧降温至CVD工艺的生长温度，通过金属通道引入外部碳源并在SiC表面继续生长石墨烯，利用SiC内部碳源和外部气体碳源的协同作用制备大尺寸高品质石墨烯单晶。不仅可以避免CVD方法转移过程中对石墨烯的破坏而且减弱了衬底缓冲层的影响，能够得到质量更好的石墨烯。
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公开(公告)号：CN106517165A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610975637.1
申请日：2016-11-07
申请人： 山东大学 , 山东本源晶体科技有限公司
IPC分类号： C01B32/188 , C01B32/186
CPC分类号： C01B2204/04 , C01P2002/82 , C01P2004/04
摘要： 本发明涉及一种在6H/4H-SiC硅面上用金属辅助内外碳源结合法生长石墨烯的方法，该方法通过高温加热将SiC晶片表面的Si-C键部分裂解，然后急剧降温至CVD工艺的生长温度，通过金属通道引入外部碳源并在SiC表面继续生长石墨烯，利用SiC内部碳源和外部气体碳源的协同作用制备大尺寸高品质石墨烯单晶。不仅可以避免CVD方法转移过程中对石墨烯的破坏而且减弱了衬底缓冲层的影响，能够得到质量更好的石墨烯。
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公开(公告)号：CN106637393B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201610975425.3
申请日：2016-11-07
申请人： 山东大学 , 山东本源晶体科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种利用金属辅助在6H/4H‑SiC碳面上外延生长石墨烯的方法，该方法通过高温加热将SiC晶片表面的Si‑C键部分裂解，生成极少量的以C原子为中心的成核位点，在到达成核点温度后，以金属薄膜为催化剂吸收多余的C原子，促进实现SiC晶片自身内部碳源处于合适的浓度，生长出质量优异的石墨烯，该方法不仅可以避免CVD方法转移过程中对石墨烯的破坏而且解决了在碳面上生长石墨烯的层数很难控制的问题，能够得到质量更好的石墨烯。
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公开(公告)号：CN106637393A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610975425.3
申请日：2016-11-07
申请人： 山东大学 , 山东本源晶体科技有限公司
CPC分类号： C30B25/186 , C30B29/02
摘要： 本发明涉及一种利用金属辅助在6H/4H‑SiC碳面上外延生长石墨烯的方法，该方法通过高温加热将SiC晶片表面的Si‑C键部分裂解，生成极少量的以C原子为中心的成核位点，在到达成核点温度后，以金属薄膜为催化剂吸收多余的C原子，促进实现SiC晶片自身内部碳源处于合适的浓度，生长出质量优异的石墨烯，该方法不仅可以避免CVD方法转移过程中对石墨烯的破坏而且解决了在碳面上生长石墨烯的层数很难控制的问题，能够得到质量更好的石墨烯。
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公开(公告)号：CN106521618B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201610975636.7
申请日：2016-11-07
申请人： 山东大学 , 山东本源晶体科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种在SiC衬底上通过点籽晶定位生长大尺寸单晶石墨烯的方法，包括步骤如下：(1)将SiC进行抛光、清洗后，置于生长炉中，抽真空，升温至1200～1300℃；通入氩气和氢气，升温至1500℃～1600℃，进行氢刻蚀；刻蚀后，关闭氢气，降温至1400～1500℃，保温；氩气氛围降温至800℃～1100℃，将微细导热探针放在SiC衬底上，形成局部过冷点；通入碳源气体和氢气，碳源气体分解后的活性碳源在过冷点处优先生长为石墨烯籽晶；(2)在800℃～1100℃，800～900mbar；碳源气体的供应下，石墨烯以SiC衬底上的籽晶为中心不断长大，得大尺寸单晶石墨烯；(3)生长结束后，通入氩气，降温，即得。本发明不依赖于金属衬底，无需对生长得到的大尺寸单晶石墨烯进行转移，可以直接应用到微电子器件。
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公开(公告)号：CN106521618A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610975636.7
申请日：2016-11-07
申请人： 山东大学 , 山东本源晶体科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种在SiC衬底上通过点籽晶定位生长大尺寸单晶石墨烯的方法，包括步骤如下：(1)将SiC进行抛光、清洗后，置于生长炉中，抽真空，升温至1200～1300℃；通入氩气和氢气，升温至1500℃～1600℃，进行氢刻蚀；刻蚀后，关闭氢气，降温至1400～1500℃，保温；氩气氛围降温至800℃～1100℃，将微细导热探针放在SiC衬底上，形成局部过冷点；通入碳源气体和氢气，碳源气体分解后的活性碳源在过冷点处优先生长为石墨烯籽晶；(2)在800℃～1100℃，800～900mbar；碳源气体的供应下，石墨烯以SiC衬底上的籽晶为中心不断长大，得大尺寸单晶石墨烯；(3)生长结束后，通入氩气，降温，即得。本发明不依赖于金属衬底，无需对生长得到的大尺寸单晶石墨烯进行转移，可以直接应用到微电子器件。
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公开(公告)号：CN115594776A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211137903.5
申请日：2022-09-19
申请人： 山东大学(CN)
摘要： 本发明涉及一种ROS响应性聚合物Mal‑PHB‑Dextran及细胞背包载药系统。本发明提供了一种马来酰亚胺修饰的PHB‑Dextran聚合物，而通过巯基‑烯点击反应在温和条件下与药物或细胞结合，并且上述聚合物具有ROS响应性，接触活性氧后发生裂解实现药物或细胞的释放。进一步，本发明还提供了一种基于上述聚合物的细胞背包系统，将免疫细胞与上述聚合物构建的纳米囊泡共孵育形成细胞背包系统。本发明的细胞背包系统制备方法简单，得到的细胞背包系统易于携带药物、疫苗、纳米治疗物质或者成像物质等，可实现针对炎症相关区域的靶向输送。
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公开(公告)号：CN111437399A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010461672.8
申请日：2020-05-27
申请人： 山东大学
IPC分类号： A61K47/69 , A61K47/52 , A61K31/7068 , A61K31/7088 , A61K48/00 , A61P35/00 , A61P35/04 , B82Y5/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , A61K45/06
摘要： 本发明具体涉及一种基因与化学小分子共递送系统及在肿瘤治疗中的应用。所述药物共递送系统以吲哚胺2,3-双加氧酶-1为靶点的小干扰RNA首次与吉西他滨联合包载于2-甲基咪唑锌金属有机骨架纳米笼中，以缓解调节性T细胞和髓源性抑制细胞相关的免疫抑制。然后在纳米载体表面矿化可产生氧气的矿化物，以减轻M2巨噬细胞的免疫抑制。在矿化壳表面修饰治疗性ICB抗体后，构建了一种多功能的纳米调节剂。多功能的纳米调节剂整合了多效能，激发出一个“热”肿瘤微环境，大大加强了对这些“冷”恶性肿瘤的ICB治疗。
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公开(公告)号：CN111110655A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN202010065339.5
申请日：2020-01-20
申请人： 山东大学
摘要： 本发明提供一种纳米复合物及其制备方法和应用，所述纳米复合物的原料包括伊马替尼、PEG化聚合物和甘露糖化壳寡糖；其中，甘露糖化壳寡糖包覆于最外层，其内以PEG化聚合物为载体包载伊马替尼，其中，原料PEG化聚合物与伊马替尼的质量比为8-50:1。该纳米复合物能够有效的被巨噬细胞摄取，阻断巨噬细胞的M2型分化，促进巨噬细胞向M1型分化，提高巨噬细胞活性，从而延长免疫抑制状态小鼠感染急性侵袭性真菌后的生存时间，实现抗真菌感染的目的。
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公开(公告)号：CN111012919A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911338596.5
申请日：2019-12-23
申请人： 山东大学
IPC分类号： A61K47/60 , A61K31/555 , A61K31/405 , A61P35/00
摘要： 本发明公开了聚乙二醇化的ICD诱导剂-IDO抑制剂纳米缀合物及制备方法与应用，其结构式如下：其中，R为H或重均分子量为1000～5000。本发明提供的聚乙二醇化的ICD诱导剂-IDO抑制剂纳米缀合物在水性介质中，聚乙二醇化的药物偶联物可以自组装成基于药物的纳米缀合物，不仅可以减少MPS相关器官中的非特异性积累，而且还通过增强的通透性和保留效果提高了对实体瘤的被动靶向能力，从而提高治疗指数。
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