公开(公告)号：CN101305115A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200680038885.8

申请日：2006-07-21

申请人： 山寿瑟拉密克斯株式会社

发明人： 仓知雅人 ,  菅野和也 ,  八木透 ,  笹俣武治 ,  佐桥家隆

IPC分类号： C30B29/30 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  H03H9/25

CPC分类号： H03H9/02921 ,  C30B29/30 ,  H03H9/02559 ,  H03H9/02897 ,  Y10T29/42

摘要： 本发明提供应力冲击和热冲击强的钽酸锂(LT)单晶或者铌酸锂(LN)单晶和具有由上述单晶制作的压电基板的弹性表面波滤波器及其制造方法。本发明的钽酸锂单晶或者铌酸锂单晶的特征在于，以0.002wt％以上0.1wt％以下的比例含有从铁、铜、锰、钼、钴、镍、锌、碳、镁、钛、钨、铟、锡、铼、钪、铑、钌、钯、银、铂、金、钇、钕、铱、锗、钡、铯、锶、镓、铈及其它的过渡元素中选择的至少一种以上的添加元素，具有优良的应力冲击特性和热冲击特性。

公开(公告)号：CN1950549B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200580013535.1

申请日：2005-04-27

申请人： 山寿瑟拉密克斯株式会社

发明人： 堀田和利 ,  菅野和也 ,  宫川大作 ,  仓知雅人 ,  笹俣武治 ,  佐桥家隆

IPC分类号： C30B29/30 ,  C30B33/02

CPC分类号： C30B29/30 ,  C30B33/00 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/253

摘要： 提供了一种处理方法，该方法可以在不损害压电性的情况下抑制钽酸锂单晶体或铌酸锂单晶体的带电。而且，提供了一种处理设备，该设备可以简单且安全地运行该处理方法。其特征在于将钽酸锂单晶体或铌酸锂单晶体制成的晶片(50)，和包括碱金属的还原剂(60)放置在处理容器(2)中，并将处理容器(2)内部保持在200-1000℃的温度和减压条件下，由此还原晶片(50)。

公开(公告)号：CN1950549A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580013535.1

申请日：2005-04-27

申请人： 山寿瑟拉密克斯株式会社

发明人： 堀田和利 ,  菅野和也 ,  宫川大作 ,  仓知雅人 ,  笹俣武治 ,  佐桥家隆

IPC分类号： C30B29/30 ,  C30B33/02

CPC分类号： C30B29/30 ,  C30B33/00 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/253

摘要： 提供了一种处理方法，该方法可以在不损害压电性的情况下抑制钽酸锂单晶体或铌酸锂单晶体的带电。而且，提供了一种处理设备，该设备可以简单且安全地运行该处理方法。其特征在于将钽酸锂单晶体或铌酸锂单晶体制成的晶片50，和包括碱金属的还原剂60放置在处理容器2中，并将处理容器2内部保持在200－1000℃的温度和减压条件下，由此还原晶片50。