-
公开(公告)号：CN118460974A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410606823.2
申请日：2024-05-16
申请人： 广德特旺光电材料有限公司
发明人： 侯闽渤
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/01 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种ITO溅射靶材的制备方法，将不同粒径的氧化铟粉体、氧化锡粉体和纳米氧化锡制成浆料或者溶胶后，经过球磨处理，得到ITO浆料，再浇注到模具中成型，在常压氧气气氛下高温烧结得到ITO溅射靶材。本发明制备得到的ITO溅射靶材均匀性好、密度高，电阻率低，能够保证显示屏的均匀性和一致性，而且该方法具有成本低、生产效率高的优点。
-
公开(公告)号：CN115571883B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202211304529.3
申请日：2022-10-24
申请人： 广德特旺光电材料有限公司
发明人： 侯闽渤
IPC分类号： C01B33/037
摘要： 本发明公开了一种用于光伏材料晶体硅制备的提纯装置，包括机架、酸洗筒、搅拌柱、分筛环、搅拌柱、安装板、升降件，其中：所述酸洗筒安装在所述机架上，酸洗筒具有搅拌腔，分筛环安装在所述搅拌腔的内壁，所述分筛环将所述搅拌腔分隔为大颗粒容纳腔和小颗粒容纳腔，所述大颗粒容纳腔位于所述下颗粒容纳腔下方，所述分筛环上开有分料孔，所述大颗粒容纳腔中较小颗粒物料通过分料环进入到所述小颗粒容纳腔；所述升降件安装在所述机架上，所述安装板安装在所述升降件的下端，所述搅拌柱竖向转动安装在所述安装板上，所述搅拌柱用于对所述搅拌腔中混合物搅拌，所述升降件用于带动所述搅拌柱在相对所述搅拌腔上下移动。本装置便于提高物料酸洗效率。
-
公开(公告)号：CN115893992A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211363382.5
申请日：2022-11-02
申请人： 广德特旺光电材料有限公司
发明人： 侯闽渤
IPC分类号： C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/626 , C03C17/00 , C03C17/245 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/24
摘要： 本发明公开了一种氧化硅铝陶瓷蒸镀材料的制备方法，包括以下步骤：S1、将硅源、无水乙醇和氨水混合均匀，得到硅源前驱体溶液；S2、将SiO2粉体和Al2O3粉体与所述硅源前驱体溶液混合均匀，然后进行球磨处理，得到混合浆料；S3、将所述混合浆料经过微波热处理，然后冷却、粉碎，得到混合粉料；S4、将所述混合粉料先经过微波烧结，冷却后压制成型，再经过高温烧结，冷却后即得氧化硅铝陶瓷蒸镀材料。本发明制得的氧化硅铝陶瓷蒸镀材料在蒸镀过程中不易发生颗粒飞溅而形成喷溅点，有利于提高镜片的质量以及成品率。
-
公开(公告)号：CN115571883A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211304529.3
申请日：2022-10-24
申请人： 广德特旺光电材料有限公司
发明人： 侯闽渤
IPC分类号： C01B33/037
摘要： 本发明公开了一种用于光伏材料晶体硅制备的提纯装置，包括机架、酸洗筒、搅拌柱、分筛环、搅拌柱、安装板、升降件，其中：所述酸洗筒安装在所述机架上，酸洗筒具有搅拌腔，分筛环安装在所述搅拌腔的内壁，所述分筛环将所述搅拌腔分隔为大颗粒容纳腔和小颗粒容纳腔，所述大颗粒容纳腔位于所述下颗粒容纳腔下方，所述分筛环上开有分料孔，所述大颗粒容纳腔中较小颗粒物料通过分料环进入到所述小颗粒容纳腔；所述升降件安装在所述机架上，所述安装板安装在所述升降件的下端，所述搅拌柱竖向转动安装在所述安装板上，所述搅拌柱用于对所述搅拌腔中混合物搅拌，所述升降件用于带动所述搅拌柱在相对所述搅拌腔上下移动。本装置便于提高物料酸洗效率。
-
公开(公告)号：CN115386945A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210988173.3
申请日：2022-08-17
申请人： 广德特旺光电材料有限公司
发明人： 侯闽渤
摘要： 本发明公开了一种晶体原料烧结炉，包括炉体、盖体和加热件，所述盖体盖设在所述炉体上，所述炉体和所述盖体之间形成烧结腔，所述加热件安装在所述烧结腔内壁，还包括外导热柱和密封件，其中：所述外导热柱固定在所述盖体上，所述外导热柱具有延伸至烧结腔部分，所述外导热柱具有位于烧结腔外部的部分；所述外导热柱沿其轴线方向导热孔，所述密封件可拆卸安装在所述外导热柱上并用于封闭所述导热孔形成真空腔。本发明中，所提出的晶体原料烧结炉，结构简单，通过在外导热柱的设置便于对烧结腔的晶体进行降温处理，通过在导热孔中放置导热介质进一步增大降温效果，且外导热柱上真空腔的设置保证烧结炉在加热过程中的保温效果。
-
公开(公告)号：CN110307724B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201910599294.7
申请日：2019-07-04
申请人： 广德特旺光电材料有限公司
发明人： 侯闽渤
IPC分类号： F27B17/00 , C01B33/113
摘要： 本发明提出的一种生产一氧化硅的多反应器真空炉，包括：炉体、多个加热反应器、收集器、抽真空装置，炉体一端设有第一炉盖，另一端设有第二炉盖，多个加热反应器紧密堆积并设置在炉体内，收集器设置在炉体内，每个加热反应器均与收集器连通，多个加热反应器和收集器共同形成一个密闭空间，抽真空装置设于炉体外，抽真空装置与炉体相连通。本发明中，通过在炉体内设置多个加热反应器，有利于提高生产效率，而且多个加热反应器共用一个收集器，有利于提高产物的收集效率，减少多个收集器的收集损耗。
-
公开(公告)号：CN117756511A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311789202.4
申请日：2023-12-25
申请人： 广德特旺光电材料有限公司
发明人： 侯闽渤
IPC分类号： C04B35/14 , C23C14/34 , C23C14/32 , C04B35/10 , C04B35/18 , C04B35/626 , C04B35/622
摘要： 本发明提供一种真空镀膜用硅铝靶材及其制备方法，涉及靶材制备技术领域。一种真空镀膜用硅铝靶材的制备方法，包括以下步骤：S1、将氧化铝和二氧化硅混合均匀、球磨处理、干燥，得到硅铝混合物；S2、将硅铝混合物放入模具中压制处理成型，得到硅铝靶材胚；S3、将硅铝靶材胚烧结、冷却，得到一种真空镀膜用硅铝靶材。本发明提供的真空镀膜用硅铝靶材密度高、均匀度高、平面度公差小。
-
公开(公告)号：CN115893992B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202211363382.5
申请日：2022-11-02
申请人： 广德特旺光电材料有限公司
发明人： 侯闽渤
IPC分类号： C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/626 , C03C17/00 , C03C17/245 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/24
摘要： 本发明公开了一种氧化硅铝陶瓷蒸镀材料的制备方法，包括以下步骤：S1、将硅源、无水乙醇和氨水混合均匀，得到硅源前驱体溶液；S2、将SiO2粉体和Al2O3粉体与所述硅源前驱体溶液混合均匀，然后进行球磨处理，得到混合浆料；S3、将所述混合浆料经过微波热处理，然后冷却、粉碎，得到混合粉料；S4、将所述混合粉料先经过微波烧结，冷却后压制成型，再经过高温烧结，冷却后即得氧化硅铝陶瓷蒸镀材料。本发明制得的氧化硅铝陶瓷蒸镀材料在蒸镀过程中不易发生颗粒飞溅而形成喷溅点，有利于提高镜片的质量以及成品率。
-
公开(公告)号：CN115012037B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202210668707.4
申请日：2022-06-14
申请人： 广德特旺光电材料有限公司
发明人： 侯闽渤
摘要： 本发明公开了一种高纯度氟化镁晶体材料的制备方法，将菱镁矿粉先经过高温煅烧得到轻烧矿粉，然后用质量浓度为15‑20％的氯化铵溶液加热处理，得到含镁钙离子的浸出液，将其与表面活性剂混合均匀后用氨水沉淀，得到的滤渣再用质量浓度为5‑8％的氯化铵溶液处理除去钙离子，经过高温煅烧后，得到的粉体与适量水混合均匀，然后加入氢氟酸反应得到高纯度氟化镁晶体材料。本发明的制备工艺简单，制得的氟化镁晶体材料具有高纯度，能够符合光学镀膜用材料的性能要求。
-
公开(公告)号：CN110307724A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910599294.7
申请日：2019-07-04
申请人： 广德特旺光电材料有限公司
发明人： 候闽渤
IPC分类号： F27B17/00 , C01B33/113
摘要： 本发明提出的一种用于生产一氧化硅的多反应器真空炉，包括：炉体、多个加热反应器、收集器、抽真空装置，炉体一端设有第一炉盖，另一端设有第二炉盖，多个加热反应器紧密堆积并设置在炉体内，收集器设置在炉体内，每个加热反应器均与收集器连通，多个加热反应器和收集器共同形成一个密闭空间，抽真空装置设于炉体外，抽真空装置与炉体相连通。本发明中，通过在炉体内设置多个加热反应器，有利于提高生产效率，而且多个加热反应器共用一个收集器，有利于提高产物的收集效率，减少多个收集器的收集损耗。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
34 条记录 (耗时 0.043 秒)
