公开(公告)号：CN118402249A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202280083162.9

申请日：2022-11-28

申请人： 应美盛股份有限公司

发明人： S·里卡迪 ,  P·格莱内 ,  J·拉肖

IPC分类号： H04N23/68

摘要： 公开了用于捕获稳定图像的系统和方法。移动设备的运动被确定，以使得可以调整镜头和图像传感器的相对位置以补偿非预期运动。镜头和图像传感器的相对位置可以响应于捕获图像之间的同步信号而周期性地重置。

公开(公告)号：CN111512118B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201880084368.7

申请日：2018-10-24

申请人： 应美盛股份有限公司

发明人： M·汤普森

IPC分类号： G01C19/5712 ,  G01C19/5719 ,  G01C19/5733 ,  G01C19/574 ,  G01P15/125

摘要： 一种微机电(MEMS)传感器包括位于MEMS层内并且相对于一个或多个电极定位的MEMS部件。多个检测质块位于MEMS层内并且在MEMS层内不彼此电耦合。第一检测质块和第二检测质块均相对于所述一个或多个电极中的至少一个公共电极而移动，使得可以感测每个检测质块相对于电极的相对位置。可以基于感测到的相对位置来确定感测到的参数。

公开(公告)号：CN116601107A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202180082920.0

申请日：2021-12-10

申请人： 应美盛股份有限公司

发明人： 李大成 ,  A·卡斯伯森

IPC分类号： B81C1/00

摘要： 一种方法，其包括对设置在第一管芯和第二管芯之间的凸片区的区域进行凸片划切。凸片区在结构上将第一管芯连接至第二管芯，第一管芯与第二管芯各自包括与CMOS器件共晶接合的MEMS器件。凸片区包括设置在熔融接合氧化物层之上的处理晶圆层，该熔融接合氧化物层设置在ACT层上。凸片区位于CMOS凸片区上方，其与第一和第二管芯形成其中的空腔。凸片划切切割穿过处理晶圆层，并留下在处理晶圆层下方的熔融接合氧化物层的一部分，从而在凸片区内形成氧化物系链。氧化物系链将凸片区维持在适当的位置并且维持在CMOS凸片区上方。在对第一区进行凸片划切之后，移除凸片区。

公开(公告)号：CN116438807A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202180076334.5

申请日：2021-12-16

申请人： 应美盛股份有限公司

发明人： R·布里奥奇 ,  早田和宣 ,  叶志成 ,  D·K·索兰奇

IPC分类号： H04R1/04

摘要： MEMS传感器包括允许与外部环境通信(诸如发送或接收声音信号或暴露于周围环境)的通孔。除了正在被测量的信息之外，光能还可以经由通孔进入传感器的环境，从而对测量或系统组件造成短期或长期影响。光减轻结构形成于MEMS管芯的盖上或附接到其上，以限制对测量或关注和系统组件的影响的方式来吸收或选择性地反射接收的光。

公开(公告)号：CN112236659B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN201980038311.8

申请日：2019-04-08

申请人： 应美盛股份有限公司

发明人： 林宗贤 ,  J·西格 ,  C·米克劳斯 ,  汤宗霖 ,  严沛文

IPC分类号： G01L9/00 ,  G01L19/04

摘要： 传感器包括基材、电极、可变形膜、和补偿结构。基材包括第一侧和第二侧。第一侧与第二侧相反。基材包括在其第一侧上的腔室。电极位于基材第一侧上的腔室底部处。可变形膜位于基材的第一侧上。可变形膜封罩腔室并且响应于外部刺激而变形。补偿结构连接至可变形膜的外周。补偿结构响应于温度变化和热系数失配而产生了与可变形膜弯曲力相反的弯曲力。

公开(公告)号：CN115667941A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180037084.4

申请日：2021-05-17

申请人： 应美盛股份有限公司

发明人： K·休斯 ,  G·拉吉 ,  V·阿凡塔吉亚蒂

IPC分类号： G01P21/00 ,  B81B7/00 ,  B81C99/00 ,  G01P15/125 ,  G01P15/08

摘要： MEMS加速度计包括响应于感测到的线性加速度而同相移动的检验质块。自测驱动电路系统将异相移动赋予到检验质块上。将检验质块的响应于线性加速度和自测移动的运动感测为公共感测电极上的感测信号。处理电路系统提取出与由线性加速度引起的同相移动对应的线性加速度信号和与由自测驱动信号引起的异相移动对应的自测信号。

公开(公告)号：CN107228670B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN201710411421.7

申请日：2017-02-27

申请人： 应美盛股份有限公司

发明人： J·乔治 ,  李由 ,  M·欧默 ,  C·古道尔 ,  张秀雯

IPC分类号： G01C21/20

摘要： 本发明涉及用于多通平滑的方法和系统。通过执行多通平滑，设备的导航解算可被增强。执行输入数据的前向和后向解算以获取临时导航解算。将临时导航解算的一个或多个物理量组合以平滑物理量。使用组合后的导航解算的物理量，执行至少一遍附加的前向和后向处理以增强临时导航解算。将来自增强的临时导航解算中的至少一个非组合物理量组合以获取增强的平滑后的导航解算。根据需要，可多次执行附加的处理以将导航解算的其他物理量组合。

公开(公告)号：CN108700421B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201680082307.8

申请日：2016-12-07

申请人： 应美盛股份有限公司

发明人： T·李 ,  J·乔吉 ,  D·王 ,  S·毛 ,  H·萨利

IPC分类号： G01C21/20 ,  G01C21/30

摘要： 可使用地图信息来增强便携式设备的导航解决方案。所述便携式设备的传感器数据可用于导出第一时间段内的多个时期的导航解决方案。可以使用该导航解决方案在该第一时间段之后的一时间处估计该设备的位置信息。还可以获得包含该便携式设备的当前位置的区域的地图信息。可以使用估计的位置信息和地图信息生成关于便携式设备的可能位置的多个假设。通过管理并处理假设，可以更新针对该第一时间段期间的至少一个时期的估计的位置信息。可以使用经更新的估计的位置信息提供针对该至少一个时期的增强的导航解决方案。

公开(公告)号：CN112996745A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201980054397.3

申请日：2019-09-17

申请人： 应美盛股份有限公司

发明人： 严沛文 ,  刘廷渊 ,  任颉 ,  林宗贤 ,  约瑟·西格 ,  卡林·麦克劳斯

IPC分类号： B81B7/00

摘要： 一种具有微机电系统(MEMS)传感器管芯的装置包括可变形膜、MEMS加热元件和衬底。所述MEMS加热元件和所述可变形膜集成于同一层且同一平面内。所述MEMS加热元件环绕所述可变形膜，且通过沟槽与所述可变形膜分离。所述MEMS加热元件用于产生热量，以加热所述可变形膜。所述衬底耦合于所述可变形膜上。

公开(公告)号：CN108369246B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201680073707.2

申请日：2016-12-09

申请人： 应美盛股份有限公司

发明人： G·加弗埃力 ,  L·科罗纳托 ,  A·吉埃巴斯蒂阿尼 ,  F·玛莎瑞拉 ,  M·慕萨兹 ,  M·弗兹

IPC分类号： G01P15/125 ,  G01P21/00

摘要： 一种微机电(MEMS)加速度计，具有检测质块、感测电极和辅助电极。感测电极相对于检测质块而定位，使得由感测电极和检测质块形成的电容响应于沿着加速度计的感测轴的线加速度而变化。辅助电极相对于检测质块定位为使得由辅助电极和检测质块形成的电容响应于线加速度为静态的。感测驱动信号被施加于感测电极，并且辅助驱动信号被施加于辅助电极。感测驱动信号和辅助驱动信号具有不同的频率。基于信号的接收自加速度计的且对辅助驱动信号作出响应的部分来识别误差。基于所识别的误差对加速度计执行补偿。