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公开(公告)号：CN119921725A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411998617.7
申请日：2024-12-31
Applicant: 江苏卓胜微电子股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种滤波器及其制作方法、无线通讯装置，该滤波器包括谐振器单元、信号引出耦合单元及接地电极。谐振器单元包括多个在第一方向上排列的谐振器。每一谐振器均具有分别位于谐振器在第二方向上的两侧信号端及接地端，第二方向与第一方向相交。信号引出耦合单元位于谐振器单元中的多个信号端所在侧，且与信号端电性连接。接地电极位于谐振器单元中的接地端所在侧且与所有谐振器的接地端均电性连接。该滤波器通过对信号引出耦合单元及接地电极的结构及位置分布的调整，在保证其工作性能的前提下，有效地减小了芯片面积，满足滤波器的小型化引用需求。该制作方法步骤简单。该无线通讯装置适于小型化高性能应用场景。
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公开(公告)号：CN119582797A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202410655511.0
申请日：2024-05-24
Applicant: 江苏卓胜微电子股份有限公司
Inventor： 谢尔盖·巴苏库
Abstract: 本申请公开了一种谐振器、滤波器及电子装置，属于半导体技术领域。该谐振器包括：基底，包括电极指区，位于所述电极指区沿第一方向相对两侧的母线区，以及位于所述电极指区与所述母线区之间的间隙区；压电层，位于所述电极指区和所述间隙区，且位于所述基底沿第二方向的一侧；所述压电层的边缘具有开口，所述开口至少位于所述间隙区，所述压电层与所述开口之间的至少部分界面呈向所述电极指区的方向倾斜的趋势；所述第一方向与所述第二方向相垂直；电极层，位于所述电极指区、所述间隙区和所述母线区，且位于所述压电层背离所述基底的一侧。本申请能够抑制杂散模式，提高谐振器的性能。
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公开(公告)号：CN119497416A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411609787.1
申请日：2024-11-12
Applicant: 江苏卓胜微电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种半导体器件及射频开关器件，半导体器件包括：衬底层；埋氧层，形成在衬底层的一侧表面上；有源层，形成在埋氧层远离衬底层的一侧表面上，有源层中形成有多个浅沟槽隔离结构以及相邻的浅沟槽隔离结构之间的有源区；主管栅极结构，形成在至少一个有源区远离埋氧层的一侧面上；其中，有源区的厚度为#imgabs0#至#imgabs1#和/或，有源区包括位于中间区域的体区、位于体区和浅沟槽隔离结构之间的源漏区、位于体区和有源区上表面之间的优化区，优化区还与源漏区接触，优化区的掺杂浓度高于5E14/cm3。本发明能够减少MOS管的寄生电容Coff，有效降低MOS管的FOM。
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公开(公告)号：CN119496477A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202311038574.3
申请日：2023-08-17
Applicant: 江苏卓胜微电子股份有限公司
Inventor： 谢尔盖·巴苏库
Abstract: 本发明提供了一种声表面波换能器和声表面波器件。在该声表面波换能器中，通过使叉指电极在边缘区域的至少部分材料的密度高于在主区域的材料密度，从而将边缘区域的声波速度调整至低于主区域的声波速度，如此即可产生活塞模式的工作状态，实现横模的有效抑制，提高声表面波器件的性能和可靠性。在具体应用中，还有利于根据需求灵活调整叉指电极其各个区域的材料和厚度、母线的材料等参数设置，以在实现横向抑制的同时，提高器件的功率耐受性，优化声表面波器件的机电性能。
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公开(公告)号：CN119419172A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411595265.0
申请日：2024-11-08
Applicant: 江苏卓胜微电子股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/3213
Abstract: 本发明涉及半导体加工制造技术领域，具体涉及一种晶圆表面铜层的制备方法和半导体器件的制备方法。晶圆表面铜层的制备方法包括以下步骤：提供晶圆；在晶圆的一侧表面电镀铜薄膜，形成初始铜层；初始铜层完全覆盖晶圆表面，包括晶圆的边缘区；使用腐蚀液冲洗位于边缘区表面的初始铜层，去除该部分初始铜层，使晶圆的边缘区暴露，剩余的初始铜层作为镀铜层；使用清洗液清洗暴露出的晶圆的边缘区，去除残余的腐蚀液；其中，使用清洗液清洗暴露出的晶圆的边缘区的步骤中包括：使用第一清洗液从晶圆的正面冲洗暴露出的晶圆的边缘区；同时使用第二清洗液从晶圆的背面冲洗晶圆的边缘区。本发明的方法可以有效减少器件RC延迟。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119109432A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202311655240.0
申请日：2023-12-05
Applicant: 江苏卓胜微电子股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种叉指换能结构、滤波器结构及电子装置，叉指换能结构包括多个第一电极条和第二电极条间隔设置在两个汇流条之间；加重连接条位于单极区内，负载结构在电极条上的投影与电极条的自由端的边缘之间在第二方向上存在预设距离。本发明通过在单极区设置加重连接条，并在叉指区设置负载结构，抑制射频滤波器带内的横向模式，减小损耗；同时通过交错设置加重连接条，进一步抑制横向模式；另外，配合加重连接柱、子加重部和附属加重部的设置，进一步提高对横向模式的抑制效果；最后，通过负载结构为加重横条或初级加重部，进一步提高对横向模式的抑制效果。
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公开(公告)号：CN118919562A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410441529.0
申请日：2024-04-12
Applicant: 南方科技大学 , 江苏卓胜微电子股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/66 , H01L29/04
Abstract: 本发明公开了一种线性度提高的氮化镓器件，所述线性度提高的氮化镓器件从上至下包括电极延伸部分、V型结构和基底结构。本发明提供了一种线性度提高的氮化镓器件，利用双晶向的迁移率与二维电子气浓度不同的性质，可以实现器件的跨导平坦度调制，从而实现更高的线性度；具体地，本发明在m晶面GaN外延片上直接外延常规的AlxGa1‑xN/GaN异质结再进行双晶向沟道的氮化镓器件的制备即可实现高线性度，不需要特殊的外延结构，从而降低了外延设计的成本。
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公开(公告)号：CN118801845A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310401996.6
申请日：2023-04-14
Applicant: 江苏卓胜微电子股份有限公司
Inventor： 龙峥
Abstract: 本申请公开了一种弹性波器件、滤波器和多路复用器，涉及集成电路技术领域，所述弹性波器件包括：衬底；在所述衬底上层的压电层以及形成在所述压电层上方的IDT电极；所述衬底的欧拉角为(‑45°±10°，‑54.7°±10°，0°±10°)，或者，(‑45°±10°，‑54.7°±10°，180°±10°)；所述压电层的欧拉角为(0°±10°，48°±4°，0°±10°)，或者，(0°±10°，40°±4°，0°±10°)。解决了现有技术中产生的寄生声学模式会对影响器件的电气性能的问题，达到了可以通过衬底和压电层的欧拉角组合设置进而可以抑制寄生声学模式提高电气性能的效果。
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公开(公告)号：CN118377065A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410347631.4
申请日：2024-03-26
Applicant: 江苏卓胜微电子股份有限公司
Inventor： 徐程铭
IPC: G01V9/00
Abstract: 本发明公开了一种液体反灌检测方法、系统、机台及存储介质，该方法通过检测所述混液腔一侧的第一压力值，以及各所述进液管路输出端的第二压力值；将各所述第二压力值分别与所述第一压力值进行比较，在所述压力比较结果内存在所述第二压力值小于第一压力值时，认定混液腔与进液管路之间存在液体反灌。本发明通过压力值检测与压力值比较的方式确定是否发生液体反灌，从而解决了现有技术中无法对混液腔和进液管道内是否发生反灌进行检测的问题。
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公开(公告)号：CN108334150B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201810343400.0
申请日：2018-04-17
Applicant: 江苏卓胜微电子股份有限公司
Inventor： 刘文永
IPC: G05F1/577
Abstract: 本发明实施例公开了一种偏置电路及基于GaAs PHEMT工艺的集成模块。其中，偏置电路包括：L级偏置单元；第i级偏置单元的输出端与第i‑1级偏置单元的输入端电连接；第L级偏置单元的输入端与电源电压输出端电连接；第1级偏置单元的输出端与偏置电路的输出端电连接；每级偏置单元包括串联连接的分压电阻和至少一个N型晶体管；每个N型晶体管的栅极与漏极电连接；任意一级偏置单元的输出电压与输入电压成1/2次幂的关系，L级偏置单元的设置，能够降低电源电压对偏置电路输出电压的影响。本发明实施例提供的技术方案，可解决现有GaAs PHEMT工艺的偏置电路输出的偏置电压易受电源电压影响的问题。
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