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公开(公告)号:CN109461663A
公开(公告)日:2019-03-12
申请号:CN201811267250.6
申请日:2018-10-29
申请人: 上海萃励电子科技有限公司 , 深圳市萃励创思智能科技有限公司
发明人: 汪元元
CPC分类号: H01L21/50 , H01L21/4821 , H01L21/568
摘要: 本发明提出了一种新型的集成电路封装工艺,具有以下优势:(1)采用导电高分子涂层作为底电极,易于剥离和清洗,免去复杂昂贵的蚀刻金属基板工序,且基板可以重复利用;(2)通过增材法自下而上设计电极结构,可大量采用孤岛电极,显著增加集成电路封装I/O数;(3)通过黑氧化或棕氧化工艺,增强了顶电极和底电极之间的铜表面与封装树脂材料的结合,封装结构牢固。