一种低应力半导体器件及其制备方法、电子器件

    公开(公告)号:CN117497514A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311375115.4

    申请日:2023-10-23

    Abstract: 本申请涉及一种低应力半导体器件及其制备方法、电子器件。该低应力半导体器件包括多层膜结构,所述多层膜结构包括基底层和设置在所述基底层上的多个金属层;所述基底层为无机非金属基底,各所述金属层的材料选自同一种金属元素,任意相邻两个所述金属层的厚度之比为0.6~1.5。上述半导体器件包括特定的多层膜结构,该多层膜结构包括特定组成的基底层以及层叠设置在上述基底层上的多个金属层,能够有效分散金属层的应力、防止裂纹扩展,故可降低金属层的应力,缓解金属层的变形、开裂和脱模等问题,从而提高多层膜结构的质量,改善半导体器件的可靠性。

    自驱动型样品真空转移系统及方法

    公开(公告)号:CN111731677A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010610308.3

    申请日:2020-06-30

    Abstract: 本申请涉及自驱动型样品真空转移系统及方法,弹性件一端固定于盒体内部,另一端活动抵接支架件,样品托可拆卸地设置于支架件上;弹性件处于一定压缩状态下,盖板与盒体相接触且盖板与盒体共同形成封闭的腔室,支架件位于腔室中;弹性件处于自由状态下,样品托位于盒体外。巧妙地利用了真空环境所形成的压力,在内外气体压力差达到一定条件时能够自行驱动样品,使用时完全不涉及电力驱动,有利于在超出预期之上缩减自身体积,尤其适用于体积紧凑的样品处理设备使用,兼容绝大多数样品处理平台,解决了目前已有的相关系统由于结构复杂,通用性不强所导致的样品前处理成本高昂的问题,从而有利于提升敏感样品跨平台无损转移的通用性。

    电机闭环控制磁控溅射平面阴极装置

    公开(公告)号:CN104746023B

    公开(公告)日:2018-01-09

    申请号:CN201310733941.1

    申请日:2013-12-26

    Abstract: 电机闭环控制磁控溅射平面阴极装置包括平面磁控阴极模块、控制电机模块及闭环控制模块;平面磁控阴极模块包括磁路模块、靶材;控制电机模块包括电机、电机驱动模块及编码模块;电机驱动模块分别连接电机及编码模块,通过闭环控制模块采集平面磁控阴极模块的溅射阴极的溅射电源信号作为反馈信号,而编码模块则将反馈信号编码为电机驱动模块驱动电机转动的控制信号,因而能够控制电机的转速和转向,使得与电机连接的磁路模块与靶材表面的距离在靶材寿命周期内保持动态不变。从而能够克服现有磁控溅射平面阴极在靶材溅射寿命周期内因靶材刻蚀导致的工艺参数漂移,以排除其工艺调试研发中对薄膜结构性能的影响。

    自驱动型样品真空转移系统及方法

    公开(公告)号:CN111731677B

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202010610308.3

    申请日:2020-06-30

    Abstract: 本申请涉及自驱动型样品真空转移系统及方法,弹性件一端固定于盒体内部,另一端活动抵接支架件,样品托可拆卸地设置于支架件上;弹性件处于一定压缩状态下,盖板与盒体相接触且盖板与盒体共同形成封闭的腔室,支架件位于腔室中;弹性件处于自由状态下,样品托位于盒体外。巧妙地利用了真空环境所形成的压力,在内外气体压力差达到一定条件时能够自行驱动样品,使用时完全不涉及电力驱动,有利于在超出预期之上缩减自身体积,尤其适用于体积紧凑的样品处理设备使用,兼容绝大多数样品处理平台,解决了目前已有的相关系统由于结构复杂,通用性不强所导致的样品前处理成本高昂的问题,从而有利于提升敏感样品跨平台无损转移的通用性。

    电镜样品前处理设备
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111272792A

    公开(公告)日:2020-06-12

    申请号:CN202010213542.2

    申请日:2020-03-24

    Abstract: 本发明涉及一种电镜样品前处理设备,包括处理箱、射频离子源、气路系统及真空泵组;处理箱内设有样品腔室;射频离子源连接处理箱并与样品腔室连通;气路系统连接射频离子源,气路系统为射频离子源提供所需的气源;真空泵组连接处理箱并与样品腔室连通,真空泵组用于对样品腔室及射频离子源抽真空。可以在同一个样品腔室同时清洗扫描电子显微镜样品和透射电子显微镜样品,也可以分别独立清洗扫描电子显微镜样品或透射电子显微镜样品,通用性强,有效降低成本;通过射频离子源处理待透射电镜观察并需要亲水性制备的透射电镜样品,实现对透射电镜样品亲水活化无损处理;实现对电镜样品进行真空储存,有效保证电镜样品的质量。

    曲率半径测量装置及其测量方法

    公开(公告)号:CN111060029A

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201911338140.9

    申请日:2019-12-23

    Abstract: 本发明涉及一种曲率半径测量装置及其测量方法,所述曲率半径测量装置包括样品台、衍射光阵列产生模块和探测分析模块,通过衍射光阵列产生模块产生并向样品发射衍射光阵列,到达样品表面后,经过样品表面反射发出反射光阵列,探测分析模块接收所述反射光阵列,并根据接收到的反射光阵列的尺寸,获取样品的曲率半径。本发明利用衍射光阵列与光源距离不同则阵列大小不同的特性,设计了使用衍射光阵列测量曲率半径的数学模型,并基于该数学模型实现了一种结构简单、测量速度快,而且对激光器、传感器等硬件要求较低的曲率半径测量装置。

    电机闭环控制磁控溅射平面阴极装置

    公开(公告)号:CN104746023A

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201310733941.1

    申请日:2013-12-26

    Abstract: 电机闭环控制磁控溅射平面阴极装置包括平面磁控阴极模块、控制电机模块及闭环控制模块;平面磁控阴极模块包括磁路模块、靶材;控制电机模块包括电机、电机驱动模块及编码模块;电机驱动模块分别连接电机及编码模块,通过闭环控制模块采集平面磁控阴极模块的溅射阴极的溅射电源信号作为反馈信号,而编码模块则将反馈信号编码为电机驱动模块驱动电机转动的控制信号,因而能够控制电机的转速和转向,使得与电机连接的磁路模块与靶材表面的距离在靶材寿命周期内保持动态不变。从而能够克服现有磁控溅射平面阴极在靶材溅射寿命周期内因靶材刻蚀导致的工艺参数漂移,以排除其工艺调试研发中对薄膜结构性能的影响。

    曲率半径测量装置及其测量方法

    公开(公告)号:CN111060029B

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN201911338140.9

    申请日:2019-12-23

    Abstract: 本发明涉及一种曲率半径测量装置及其测量方法,所述曲率半径测量装置包括样品台、衍射光阵列产生模块和探测分析模块,通过衍射光阵列产生模块产生并向样品发射衍射光阵列,到达样品表面后,经过样品表面反射发出反射光阵列,探测分析模块接收所述反射光阵列,并根据接收到的反射光阵列的尺寸,获取样品的曲率半径。本发明利用衍射光阵列与光源距离不同则阵列大小不同的特性,设计了使用衍射光阵列测量曲率半径的数学模型,并基于该数学模型实现了一种结构简单、测量速度快,而且对激光器、传感器等硬件要求较低的曲率半径测量装置。

    一种低应力半导体器件、电子器件

    公开(公告)号:CN221668832U

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202322842210.2

    申请日:2023-10-23

    Abstract: 本申请涉及一种低应力半导体器件、电子器件。该低应力半导体器件包括多层膜结构,所述多层膜结构包括基底层和设置在所述基底层上的多个金属层;所述基底层为无机非金属基底,各所述金属层的材料选自同一种金属元素,任意相邻两个所述金属层的厚度之比为0.6~1.5。上述半导体器件包括特定的多层膜结构,该多层膜结构包括特定组成的基底层以及层叠设置在上述基底层上的多个金属层,能够有效分散金属层的应力、防止裂纹扩展,故可降低金属层的应力,缓解金属层的变形、开裂和脱模等问题,从而提高多层膜结构的质量,改善半导体器件的可靠性。

    离子溅射仪
    10.
    实用新型

    公开(公告)号:CN212770929U

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN202021249988.2

    申请日:2020-07-01

    Abstract: 本实用新型涉及一种离子溅射仪,包括:处理腔室,用于容纳样品;气体调节模块,与所述处理腔室连通,用于监测和调节所述处理腔室内的压强;磁控溅射模块,与所述处理腔室连通,用于对所述样品进行磁控溅射沉积以在所述样品表面形成导电膜层;等离子清洗模块,与所述处理腔室连通,用于对所述样品进行等离子清洗。本实用新型通过磁控溅射模块提高了导电镀层的沉积效率和降低沉积温度,并通过等离子清洗模块同时去除样品表面的有机污染物,从而提高了样品表面的成像清晰度,减少了“积碳”现象的产生。

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