一种制备二维纳米薄膜的设备

    公开(公告)号:CN102732834B

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201210201571.2

    申请日:2012-06-18

    摘要: 本发明公开了一种制备二维纳米薄膜的设备,包括物理气相沉积腔室、进料腔室、化学气相沉积腔室和样品传递装置。腔室之间设有阀门,样品通过样品传递装置可以在各腔室之间传递;化学气相沉积腔室设有加热装置、气体连接口以及样品升降装置;物理气相沉积腔室设有物理气相沉积系统、样品升降装置、气体连接口;进料腔室设有样品处理装置;腔室还设有抽真空装置以及样品旋转装置。本设备结构简单、工作可靠,利用本设备,可以采用不同的技术方法可大面积地制备均匀、高性能的石墨烯、金属硫族化合物、硅烯、锗烯或氮化硼等二维纳米薄膜。

    一种制备二维纳米薄膜的设备

    公开(公告)号:CN102732834A

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201210201571.2

    申请日:2012-06-18

    摘要: 本发明公开了一种制备二维纳米薄膜的设备,包括物理气相沉积腔室、进料腔室、化学气相沉积腔室和样品传递装置。腔室之间设有阀门,样品通过样品传递装置可以在各腔室之间传递;化学气相沉积腔室设有加热装置、气体连接口以及样品升降装置;物理气相沉积腔室设有物理气相沉积系统、样品升降装置、气体连接口;进料腔室设有样品处理装置;腔室还设有抽真空装置以及样品旋转装置。本设备结构简单、工作可靠,利用本设备,可以采用不同的技术方法可大面积地制备均匀、高性能的石墨烯、金属硫族化合物、硅烯、锗烯或氮化硼等二维纳米薄膜。

    一种制备二维纳米薄膜的设备

    公开(公告)号:CN202626285U

    公开(公告)日:2012-12-26

    申请号:CN201220287247.2

    申请日:2012-06-18

    IPC分类号: C23C14/56 C23C16/54

    摘要: 本实用新型公开了一种制备二维纳米薄膜的设备,包括物理气相沉积腔室、进料腔室、化学气相沉积腔室和样品传递装置。腔室之间设有阀门,样品通过样品传递装置可以在各腔室之间传递;化学气相沉积腔室设有加热装置、气体连接口以及样品升降装置;物理气相沉积腔室设有物理气相沉积系统、样品升降装置、气体连接口;进料腔室设有样品处理装置;腔室还设有抽真空装置以及样品旋转装置。本设备结构简单、工作可靠,利用本设备,可以采用不同的技术方法可大面积地制备均匀、高性能的石墨烯、金属硫族化合物、硅烯、锗烯或氮化硼等二维纳米薄膜。