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公开(公告)号:CN102732834B
公开(公告)日:2013-11-20
申请号:CN201210201571.2
申请日:2012-06-18
摘要: 本发明公开了一种制备二维纳米薄膜的设备,包括物理气相沉积腔室、进料腔室、化学气相沉积腔室和样品传递装置。腔室之间设有阀门,样品通过样品传递装置可以在各腔室之间传递;化学气相沉积腔室设有加热装置、气体连接口以及样品升降装置;物理气相沉积腔室设有物理气相沉积系统、样品升降装置、气体连接口;进料腔室设有样品处理装置;腔室还设有抽真空装置以及样品旋转装置。本设备结构简单、工作可靠,利用本设备,可以采用不同的技术方法可大面积地制备均匀、高性能的石墨烯、金属硫族化合物、硅烯、锗烯或氮化硼等二维纳米薄膜。
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公开(公告)号:CN102732834A
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:CN201210201571.2
申请日:2012-06-18
摘要: 本发明公开了一种制备二维纳米薄膜的设备,包括物理气相沉积腔室、进料腔室、化学气相沉积腔室和样品传递装置。腔室之间设有阀门,样品通过样品传递装置可以在各腔室之间传递;化学气相沉积腔室设有加热装置、气体连接口以及样品升降装置;物理气相沉积腔室设有物理气相沉积系统、样品升降装置、气体连接口;进料腔室设有样品处理装置;腔室还设有抽真空装置以及样品旋转装置。本设备结构简单、工作可靠,利用本设备,可以采用不同的技术方法可大面积地制备均匀、高性能的石墨烯、金属硫族化合物、硅烯、锗烯或氮化硼等二维纳米薄膜。
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公开(公告)号:CN202626285U
公开(公告)日:2012-12-26
申请号:CN201220287247.2
申请日:2012-06-18
摘要: 本实用新型公开了一种制备二维纳米薄膜的设备,包括物理气相沉积腔室、进料腔室、化学气相沉积腔室和样品传递装置。腔室之间设有阀门,样品通过样品传递装置可以在各腔室之间传递;化学气相沉积腔室设有加热装置、气体连接口以及样品升降装置;物理气相沉积腔室设有物理气相沉积系统、样品升降装置、气体连接口;进料腔室设有样品处理装置;腔室还设有抽真空装置以及样品旋转装置。本设备结构简单、工作可靠,利用本设备,可以采用不同的技术方法可大面积地制备均匀、高性能的石墨烯、金属硫族化合物、硅烯、锗烯或氮化硼等二维纳米薄膜。
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