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公开(公告)号：CN114433631B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210094237.5
申请日：2022-01-26
Applicant: 重庆墨希科技有限公司 , 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC: B21B3/00 , B21B1/22 , B21B9/00 , B21B13/02 , B21B45/00 , C01B32/186 , C22C1/10 , C22C9/00 , C23C16/26 , C23C16/448 , C23C16/56
Abstract: 本发明涉及基于固态碳源的高导电石墨烯金属复合材料制备方法。所述制备方法包括：先对固态碳源进行预处理，然后在若干金属基材上分别生长石墨烯，得到石墨烯金属衬底，接着将若干石墨烯金属衬底热压成型，预处理、石墨烯生长和热压成型在相互连通的腔室内完成。本发明中，固态碳源能够通过固态碳源进样机构进入进样室内，在较低温度下裂解为石墨烯成核生长所需的含碳活性基团，从而能够降低石墨烯的生长温度，缩短生长时间，降低能耗。
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公开(公告)号：CN114472522A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210095741.7
申请日：2022-01-26
Applicant: 重庆墨希科技有限公司 , 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
Abstract: 本发明属于石墨烯制备技术领域，具体涉及等离子辅助制备高导电石墨烯金属复合材料的方法及装置。所述方法包括：于等离子体条件下在若干金属基材上分别生长石墨烯，再热压成型，石墨烯生长和热压成型在相连通的腔室内完成。所述装置包括：等离子体辅助分解腔室，连通有进样室和热压腔室，且位于进样室和热压腔室之间；进样室设置有进样机构，离子体辅助分解腔室设置有等离子体发生器和第一加热机构，热压腔室设置有预压辊、热压机构和第二加热机构；及气路机构。本发明中，等离子体发生器能够加速碳源裂解，催化碳源裂解，促进石墨烯多层成核及生长，增加石墨烯生长层数。
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公开(公告)号：CN114464374A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210095757.8
申请日：2022-01-26
Applicant: 重庆墨希科技有限公司 , 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC: H01B13/02
Abstract: 本发明涉及一种提高金属绞线导电性的方法及装置。所述方法包括：先在多根金属导线上同时生长石墨烯；然后将多根石墨烯金属复合导线绞合；石墨烯生长和绞合工序在同一密封腔室内完成。所述装置包括：密封腔室和用于向密封腔室内通入工艺气体的工艺气体气路机构，连通密封腔室与工艺气体气路机构的管路上设置有流量阀，密封腔室内设置有投料机构和收料机构，投料机构和收料机构之间依次设置有加热机构和绞线机构。本发明中，生产过程在同一密封腔室内完成，避免了石墨烯金属复合导线在包装、存储、转运过程中接触空气所导致的界面氧化及表面杂质引入对石墨烯金属复合绞线导电性能的不良影响，提高了石墨烯金属复合绞线的导电性。
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公开(公告)号：CN109526073B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201811378898.0
申请日：2018-11-19
Applicant: 重庆墨希科技有限公司
IPC: H05B3/14 , H05B3/34 , C09D7/63 , C09D125/18 , C09D129/04 , C09D133/02 , C09D171/02
Abstract: 本发明公开了一种高可靠性CVD石墨烯透明红外发射膜及其制备方法，其通过在石墨烯层和基底层之间设置一个附着力增强层，且该附着力增强层具有特定的结构，其具有柔顺的主链结构，且侧基为高极性基团，因此，其与石墨烯能够在分子尺度充分贴近，并通过分子链的协调运动，使得附着力增强层的极性基团最大程度地与石墨烯晶界缺陷形成强氢键作用，并通过氢键的断裂吸收传递至界面的应力，从而避免承受外力状态下单层石墨烯薄膜结构的破损；应力消失后，氢键又可逆的形成，因而提供了一种长效的界面作用力增强效果，保障红外发射膜的可靠性。
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公开(公告)号：CN108684084B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201810275784.7
申请日：2018-03-30
Applicant: 重庆墨希科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种工艺简单，能够形成完整的石墨烯电热膜的石墨烯加热膜的制备工艺。该石墨烯加热膜的制备工艺依次包括以下步骤：S1、对催化衬底铜箔进行退火处理；对退火铜箔进行微刻蚀处理，在铜箔表面生长二维连续结构的石墨烯层，得到结构Ⅰ；S2、采用UV胶将结构Ⅰ的石墨烯转移到目标透明基底上，并去除催化衬底，得到结构Ⅱ；S3、设计表面印刷线路图案，对结构Ⅱ进行激光刻蚀，将银浆线路所对应的下方石墨烯层去除，暴露出UV胶层；对位印刷银浆线路，得到结构Ⅲ；S4、对位贴合OCA胶膜及表面封装层于复合导电结构Ⅲ表面，得到电热模块Ⅳ。采用该石墨烯加热膜的制备工艺能够提高石墨烯加热膜红外发射率，提升制备成品率，延长使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112210038A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010958591.9
申请日：2020-09-14
Applicant: 重庆墨希科技有限公司
IPC: C08F222/22 , C08F220/14 , C08F220/18 , C08G18/32 , C08G18/66 , C08G18/48 , C01B32/184 , C01B32/194
Abstract: 本发明涉及一种可降解聚合物及其的制备方法和利用其转移石墨烯的方法，包括以下步骤：S100：将多元胺类化合物与多元醛类化合在溶剂中混合并反应，得到主链中含有席夫碱结构的化合物；S200：将所述化合物与双官能度单体混合，通过碱催化剂催化反应，得到产物。本申请制备的可降解聚合物本身具有足够高的分子量和玻璃化温度，足以保持转移过程中树脂膜对石墨烯的支撑强度，保证石墨烯的完整性；同时具有足够的耐碱性；并且在酸性水性环境中，无需加热既能够使该可降解聚合物快速降解成小分子及低聚物，高分子链断裂解缠，溶解度显著提高，同时包覆在石墨烯缺陷及表面杂质上的聚合物分子也会降解而脱落剥离，从而实现石墨烯的洁净转移。
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公开(公告)号：CN106801221B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710186759.7
申请日：2017-03-27
Applicant: 重庆墨希科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种能够将石墨烯生长设备充分利用的多工位石墨烯快速伸长设备，包括安装固定平台、真空泵、气体输送管道、加热装置、石墨烯生长工艺腔；所述石墨烯生长工艺腔具有密封法兰、抽真空口、进气口；所述抽真空口与真空泵连通；所述进气口与气体输送管道连通；所述石墨烯生长工艺腔至少具有两个；所述石墨烯生长工艺腔安装在固定平台上；所述石墨烯生长工艺腔具有工艺腔外管，所述加热装置设置在工艺腔外管的外侧；所述安装固定平台上设置有将加热装置从一个工艺腔外管外侧移动到另一个工艺腔外管外侧的加热装置移动装置。采用该多工位石墨烯快速伸长设备能够减少资源浪费、提高生产效率。
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公开(公告)号：CN109618428A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811187811.1
申请日：2018-10-12
Applicant: 重庆墨希科技有限公司
IPC: H05B3/20 , H05B3/03 , H05B3/14 , A61N5/06 , C01B32/186 , C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜及其制备方法。本发明的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜包括自下而上依次层叠设置的透明基底、粗糙化的石墨烯复合层、电极层和封装层，其中，石墨烯复合层为通过液态胶黏剂将在粗糙处理后的催化衬底上生长的石墨烯薄膜转移至透明基底上时，由液态胶黏剂固化而成的胶黏层和石墨烯薄膜形成的复合层，且胶黏剂层完全复刻所述催化衬底上的粗糙纹路，石墨烯复合层的粗糙度为0.5-40μm。本发明的石墨烯复合层由于是通过液态胶粘剂将生成在粗糙化处理的衬底上的石墨烯薄膜转移至透明基底上的，使得石墨烯复合层的比表面积和表面粗糙度的明显提高，从而提高了红外发射膜的发射率。
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公开(公告)号：CN109526073A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811378898.0
申请日：2018-11-19
Applicant: 重庆墨希科技有限公司
IPC: H05B3/14 , H05B3/34 , C09D7/63 , C09D125/18 , C09D129/04 , C09D133/02 , C09D171/02
Abstract: 本发明公开了一种高可靠性CVD石墨烯透明红外发射膜及其制备方法，其通过在石墨烯层和基底层之间设置一个附着力增强层，且该附着力增强层具有特定的结构，其具有柔顺的主链结构，且侧基为高极性基团，因此，其与石墨烯能够在分子尺度充分贴近，并通过分子链的协调运动，使得附着力增强层的极性基团最大程度地与石墨烯晶界缺陷形成强氢键作用，并通过氢键的断裂吸收传递至界面的应力，从而避免承受外力状态下单层石墨烯薄膜结构的破损；应力消失后，氢键又可逆的形成，因而提供了一种长效的界面作用力增强效果，保障红外发射膜的可靠性。
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公开(公告)号：CN109451606A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811187916.7
申请日：2018-10-12
Applicant: 重庆墨希科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯的耐冲击透明发热膜，通过在石墨烯发热层下层设置支撑层，保持整体结构强度，避免了应力造成石墨烯结构破坏，并通过在石墨烯发热层的上层设置缓冲层，吸收发热膜膜结构内部传导应力，及释放界面应力，避免应力集中而造成的层间结构破坏。本发明的耐冲击透明发热膜极大地增强石墨烯发热膜使用耐久性，延长石墨烯发热膜使用寿命。
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