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公开(公告)号：CN106633648A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611121869.7
申请日：2016-12-08
CPC分类号： C08K9/06 , B32B5/02 , B32B5/26 , B32B37/06 , B32B37/1018 , B32B2260/023 , B32B2260/046 , B32B2262/101 , B32B2307/206 , B32B2457/08 , C08K3/36 , C08L2201/08 , C08L63/00
摘要： 本发明涉及一种耐离子迁移材料，包括玻璃基体，玻璃基体的pH为6~7，莫氏硬度为4~5，所述耐离子迁移材料由所述玻璃基体经疏水性硅烷偶联剂表面改性得到，为粉末状或颗粒状填料，该耐离子迁移材料应用于覆铜板中，可在确保覆铜板其他性能的前提下，显著提高覆铜板的耐离子迁移性能。
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公开(公告)号：CN105802186A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610156705.1
申请日：2016-03-18
申请人： 重庆市锦艺硅材料开发有限公司苏州分公司
IPC分类号： C08L71/12 , C08L63/00 , C08K13/02 , C08K3/36 , C08K3/22 , C08K3/38 , B32B17/04 , B32B27/04 , B32B17/06 , B32B15/20 , B32B33/00 , B32B37/10 , B32B37/06 , B32B38/16
CPC分类号： C08L71/12 , B32B15/20 , B32B17/04 , B32B17/061 , B32B33/00 , B32B37/06 , B32B37/1018 , B32B38/164 , B32B2260/021 , B32B2260/046 , C08K2201/014 , C08L2201/08 , C08L63/00 , C08K13/02 , C08K3/36 , C08K2003/2227 , C08K2003/2237 , C08K2003/2272 , C08K3/38
摘要： 本发明涉及一种覆铜板用填料、树脂组合物及其在覆铜板中的应用，覆铜板用树脂组合物包括树脂和填料，按填料的总重量为100%计，填料包括由50~60%的SiO2、13~18%的Al2O3、24~29%的B2O3、0.1~4%的TiO2、小于0.05%的R2O、小于0.02%的Fe2O3所共同构成的复合材料，R2O为碱金属氧化物；树脂包括苯环接枝改性聚苯醚，苯环接枝改性聚苯醚的结构式为：。本发明制得填料介电常数为3.0~3.5，介电损耗范围为0.0001~0.001，本发明的树脂组合物在3GHz的频率下工作时，介电常数为2.8~3.2，介电损耗范围为0.0001~0.001。
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公开(公告)号：CN103304144B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210060697.2
申请日：2012-03-09
IPC分类号： C03C12/00
摘要： 本发明揭示了一种用于制备覆铜箔板的玻璃微粉，原料按重量百分比组成的组分包括：氧化硅为50%~70%，氧化铝为5%~19%，氧化钙为1%~10%，氧化硼为5%~30%。与现有技术相比，本发明通过调整制备玻璃微粉的混合物的比例，有效降低玻璃微粉的介电常数，从而在把所述玻璃微粉加入覆铜箔板的树脂胶水中后，提高覆铜箔板的性能，适应高频通讯的要求。
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公开(公告)号：CN103555002A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310540105.1
申请日：2013-11-05
申请人： 重庆市锦艺硅材料开发有限公司苏州分公司
摘要： 本发明揭示了一种覆铜板用无机填料及其制备方法，其中，该方法包括以下步骤：将黑滑石原料进行粉碎、超细处理、分级得到黑滑石粉体；将所述得到的黑滑石粉体在850℃~1150℃的温度范围内煅烧得到覆铜板用无机填料。本发明提供的覆铜板用无机填料的制备方法可以制得适应覆铜板加工用的具有低硬度的无机填料，提高覆铜板的后续加工性能。
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公开(公告)号：CN103360793A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210084003.9
申请日：2012-03-27
申请人： 重庆市锦艺硅材料开发有限公司苏州分公司
摘要： 一种低介电常数的填料的制备方法，所述方法包括如下步骤：a.提供结晶石英，将所述结晶石英置于高温炉中熔融，形成玻璃态物质；b.将所述玻璃态物质保温；c.对经过保温的玻璃态物质进行冷却处理；d.将经过冷却处理的玻璃态物质进行球磨粉碎和精密分级，获得填料。本发明通过对熔融的石英进行冷却、粉碎和分级，从而制备出一种具有低介电常数的填料，其很好的满足了目前高频通讯的要求，保证了通讯的质量。
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公开(公告)号：CN106633648B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201611121869.7
申请日：2016-12-08
摘要： 本发明涉及一种耐离子迁移材料，包括玻璃基体，玻璃基体的pH为6~7，莫氏硬度为4~5，所述耐离子迁移材料由所述玻璃基体经疏水性硅烷偶联剂表面改性得到，为粉末状或颗粒状填料，该耐离子迁移材料应用于覆铜板中，可在确保覆铜板其他性能的前提下，显著提高覆铜板的耐离子迁移性能。
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公开(公告)号：CN105968714B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510884060.9
申请日：2015-12-03
申请人： 重庆市锦艺硅材料开发有限公司苏州分公司
IPC分类号： C08L63/00 , C08K9/06 , C08K3/34 , B32B17/04 , B32B27/04 , B32B27/38 , B32B27/18 , B32B17/06 , B32B15/20 , B32B38/08 , B32B38/16 , B32B37/10
摘要： 本发明涉及一种树脂组合物及其制作的覆铜板，涉及印刷电路板用覆铜板技术领域，具体涉及一种使用绿泥石粉作为填料的树脂组合物以及使用该树脂组合物生产出来的覆铜板。本发明生产出来的覆铜板具有良好的耐热性、剥离强度和机械加工性能以及低介电常数和损耗，提高了覆铜板的综合性能。
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公开(公告)号：CN106675152A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611197904.3
申请日：2016-12-22
摘要： 本发明涉及一种粉末涂料用消光改性剂及其应用、以及含有其的消光粉末涂料，它包括无机填料和硅烷改性剂，所述硅烷改性剂质量为所述无机填料质量的0.5~1.5%；所述无机填料的粒径D100≤40μm；所述硅烷改性剂为第一硅烷和第二硅烷按质量比1：0.5~2组成的混合物，所述第一硅烷为选自环氧硅烷、甲基丙烯酰氧基硅烷和乙烯基硅烷中的一种或多种组成的混合物，所述第二硅烷为选自氟硅烷、烷基硅烷和含硫硅烷中的一种或多种组成的混合物。不仅能够提高粉末涂料的硬度至1H以上，而且其水煮失光△E>1；向粉末涂料中添加一定质量比例的后，可以使其光泽≤35度，成本较低。
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公开(公告)号：CN105131527B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510593839.5
申请日：2015-09-17
申请人： 重庆市锦艺硅材料开发有限公司苏州分公司
IPC分类号： C08L63/00 , C08L63/10 , C08L71/12 , C08K9/00 , C08K9/04 , C08K9/06 , C08K3/36 , B32B15/092 , B32B27/04 , B32B27/12 , B32B27/38
摘要： 本发明涉及一种低介电常数覆铜板及其制作方法。属于覆铜板技术领域。本发明提供了一种获取耐碱且低介电常数的方石英的方法，并改进覆铜板的树脂混合物的组成成分，获得具有低介电常数的覆铜板。本发明解决了一直以来通过改性树脂或通过使用低介电常数树脂获得低介电常数的方法，而采用了更加经济、方便的添加低介电常数无机填料，具体的是采用脉石英矿石制的方石英粉体作为无机填料组成物降低覆铜板介电常数的方法。
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公开(公告)号：CN105131527A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510593839.5
申请日：2015-09-17
申请人： 重庆市锦艺硅材料开发有限公司苏州分公司
IPC分类号： C08L63/00 , C08L63/10 , C08L71/12 , C08K9/00 , C08K9/04 , C08K9/06 , C08K3/36 , B32B15/092 , B32B27/04 , B32B27/12 , B32B27/38
摘要： 本发明涉及一种低介电常数覆铜板及其制作方法。属于覆铜板技术领域。本发明提供了一种获取耐碱且低介电常数的方石英的方法，并改进覆铜板的树脂混合物的组成成分，获得具有低介电常数的覆铜板。本发明解决了一直以来通过改性树脂或通过使用低介电常数树脂获得低介电常数的方法，而采用了更加经济、方便的添加低介电常数无机填料，具体的是采用脉石英矿石制的方石英粉体作为无机填料组成物降低覆铜板介电常数的方法。
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