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公开(公告)号：CN115956135A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202180052285.1
申请日：2021-10-04
申请人： OEM集团有限责任公司
发明人： 马克-安德鲁·拉里维埃 , 胡安·里奥斯雷耶斯 , 尼汀·乔德哈瑞 , 李超 , 布伦丹·V·特朗格
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明提供一种用于将超薄薄膜沉积到晶片上的方法。该方法包括以下步骤。提供溅射室，其中，该溅射室由晶片处理设备和磁控管共同限定。晶片被放置到晶片处理设备的晶片卡盘上。将该晶片卡盘移动至与磁控管相距第一距离处。将气体引入到溅射室中，使得气体分离成等离子体，其中，该等离子体包括气体离子。当带有晶片的晶片卡盘处于与磁控管相距第一距离处时，向磁控管的至少一个溅射靶材施加第一负电势。将该晶片卡盘移动至与磁控管相距第二距离处。当带有晶片的晶片卡盘处于与磁控管相距第二距离处时，向磁控管的至少一个溅射靶材施加第二负电势。在对磁控管的至少一个溅射靶材施加第二负电势后，将晶片从晶片卡盘移除。
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公开(公告)号：CN110325283B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201880010979.7
申请日：2018-02-08
申请人： OEM集团有限责任公司
IPC分类号： B05B1/02 , B05B1/20 , B05B1/30 , B05B9/00 , B05B15/00 , B05B15/65 , B05B15/658 , B05B15/68 , B05B1/04 , B05B1/12 , B05B1/14 , B05B1/16
摘要： 本文描述可调整流量喷嘴系统的各个实施例，所述可调整流量喷嘴系统具有歧管，所述歧管具有多个可调整流量喷嘴，在所述可调整流量喷嘴中，可以个别地调整每一可调整流量喷嘴的流动速率。
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公开(公告)号：CN115989557A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202180052226.4
申请日：2021-07-30
申请人： OEM集团有限责任公司
发明人： 马克-安德鲁·拉里维埃 , 胡安·里奥斯雷耶斯 , 尼汀·乔德哈瑞 , 李超 , 布伦丹·V·特朗格 , 克里斯蒂安·K·福吉 , 迈克尔·S·科雷拉
IPC分类号： H01J37/34
摘要： 本发明提供一种磁控管系统，该磁控管系统包括基板组件，该基板组件限定壳体部分和电力馈通。磁体组件和分段靶组件被布置在壳体部分内。分段靶组件具有内部靶段，该内部靶段具有多个靶砖。多个电接触件与电力馈通电气连通，其中，所述多个电接触件中的各电接触件电接触所述多个靶砖中的相应的靶砖，使得电力从所述多个电接触件中的各电接触件输送到所述多个靶砖中的各相应的靶砖。
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公开(公告)号：CN116034450A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202180052169.X
申请日：2021-08-23
申请人： OEM集团有限责任公司
发明人： 马克-安德鲁·拉里维埃 , 胡安·里奥斯雷耶斯 , 尼汀·乔德哈瑞 , 李超 , 布伦丹·V·特朗格 , 克里斯蒂安·K·福吉 , 迈克尔·S·科雷拉 , 威廉·森塞曼
IPC分类号： H01J37/34
摘要： 本发明提供了一种磁控管系统，该磁控管系统包括基板组件。基板组件限定壳体部分和电力馈通。溅射靶被布置在基板组件的壳体部分内。电磁组件被布置在基板组件的壳体部分内。电磁组件包括多个电磁体对和多个磁体对，其中，所述多个电磁体对和所述多个磁体对以交替顺序布置，使得：所述多个电磁体对中的至少一个电磁体对被并置于所述多个磁体对中的两个磁体对之间，并且所述多个磁体对中的至少一个磁体对被并置于所述多个电磁体对中的两个电磁体对之间。
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公开(公告)号：CN110325283A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201880010979.7
申请日：2018-02-08
申请人： OEM集团有限责任公司
IPC分类号： B05B1/02 , B05B1/20 , B05B1/30 , B05B9/00 , B05B15/00 , B05B15/65 , B05B15/658 , B05B15/68 , B05B1/04 , B05B1/12 , B05B1/14 , B05B1/16
摘要： 本文描述可调整流量喷嘴系统的各个实施例，所述可调整流量喷嘴系统具有歧管，所述歧管具有多个可调整流量喷嘴，在所述可调整流量喷嘴中，可以个别地调整每一可调整流量喷嘴的流动速率。
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