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公开(公告)号：CN114958206A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110198261.9
申请日：2021-02-22
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种铜化学机械抛光液及其应用和化学机械抛光方法，该抛光液包含研磨颗粒、腐蚀抑制剂、络合剂、表面活性剂、pH调节剂和氧化剂，余量为水。在铜化学机械抛光过程中，本发明的铜化学机械抛光液能够满足前两步抛光步骤合并成一步抛光的使用要求，从而优化铜的抛光工艺、提高抛光效率。
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公开(公告)号：CN113789126B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110940722.5
申请日：2021-08-17
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/306
摘要： 本发明公开了一种硅片化学机械抛光液及其应用，所述抛光液包含纳米氧化硅磨料、速率促进剂、表面活性剂和去离子水。本发明的化学机械抛光液是一种用于硅晶圆片的抛光液，通过添加一定量的特定表面活性剂，能够获得良好的表面粗糙度，改善抛光后硅晶圆片的表面质量。
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公开(公告)号：CN114958206B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110198261.9
申请日：2021-02-22
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种铜化学机械抛光液及其应用和化学机械抛光方法，该抛光液包含研磨颗粒、腐蚀抑制剂、络合剂、表面活性剂、pH调节剂和氧化剂，余量为水。在铜化学机械抛光过程中，本发明的铜化学机械抛光液能够满足前两步抛光步骤合并成一步抛光的使用要求，从而优化铜的抛光工艺、提高抛光效率。
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公开(公告)号：CN117070953A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310903964.6
申请日：2023-07-24
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种低锆含量的钨化学机械抛光液、制备方法及其应用，所述抛光液以商用电子级气相二氧化硅经研磨、除杂得到的纳米级气相二氧化硅为磨料，其中，所述钨化学机械抛光液中Zr含量为8ppb‑8ppm。本发明的纳米级气相二氧化硅通过球磨机研磨获得纳米级气相二氧化硅分散液，再利用溶剂萃取法去除分散液中的Zr杂质。利用本发明所得低Zr含量的纳米级气相二氧化硅分散液配制的钨化学机械抛光液具有抛光表面质量高、杂质残留量低等特点。
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公开(公告)号：CN116445084A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310409167.2
申请日：2023-04-18
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种耐低温型硅抛光组合物及其应用，所述耐低温型硅抛光组合物以纳米二氧化硅胶体为主要抛光组分，并添加有防冻剂和氨基酸型表面活性剂。本发明的耐低温型硅抛光组合物中同时添加防冻剂和氨基酸型表面活性剂作为耐低温助剂，可有效抑制组合物在低温环境下容易发生的冻结凝胶和平均粒径、大颗粒数显著上升的问题，可防止组合物在低温下变质失效，与现有技术相比，具有明显优势。
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公开(公告)号：CN113604154B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110781809.2
申请日：2021-07-09
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/321
摘要： 本发明公开了一种钨插塞化学机械抛光液、制备方法及其应用，所述抛光液包含如下质量百分含量的组分：2％‑20％研磨剂、0.5％～5％的氧化剂、0.01％～0.5％的钨催化剂，0.05％‑0.5％的含氮和羟基的脂肪族或芳香族化合物作为络合剂，其余部分为去离子水。本发明的抛光组合物具有抛光速率快、表面质量好、稳定性优异等特点。
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公开(公告)号：CN113549400B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110910821.9
申请日：2021-08-10
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/306
摘要： 本发明公开了一种提高抛光液循环利用率的方法及硅片抛光方法，通过对待处理的抛光液中添加络合助剂、渗透剂、分散剂、pH值调节剂进行处理，实现抛光液多次循环利用的抛光效果。本发明可延长抛光液循环使用时间，总循环使用次数在30‑40次，且循环过程中硅片表面不易产生划伤，与抛光液未经处理直接循环使用相比，具有显著优势。
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公开(公告)号：CN113789126A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110940722.5
申请日：2021-08-17
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/306
摘要： 本发明公开了一种硅片化学机械抛光液及其应用，所述抛光液包含纳米氧化硅磨料、速率促进剂、表面活性剂和去离子水。本发明的化学机械抛光液是一种用于硅晶圆片的抛光液，通过添加一定量的特定表面活性剂，能够获得良好的表面粗糙度，改善抛光后硅晶圆片的表面质量。
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公开(公告)号：CN113604154A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110781809.2
申请日：2021-07-09
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/321
摘要： 本发明公开了一种钨插塞化学机械抛光液、制备方法及其应用，所述抛光液包含如下质量百分含量的组分：2％‑20％研磨剂、0.5％～5％的氧化剂、0.01％～0.5％的钨催化剂，0.05％‑0.5％的含氮和羟基的脂肪族或芳香族化合物作为络合剂，其余部分为去离子水。本发明的抛光组合物具有抛光速率快、表面质量好、稳定性优异等特点。
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公开(公告)号：CN113549399A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110883514.6
申请日：2021-08-03
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种适用于硅片粗抛光的化学机械抛光组合物及其应用，所述化学机械抛光组合物包括研磨颗粒、含有重氮基团的化合物、pH值调节剂、络合剂和去离子水。本发明的抛光组合物中含有重氮基团的化合物中的重氮基团，带有一个单位的正电荷，与表面带有电荷的研磨粒子发生协同作用，实现了抛光组合物对硅的高速去除。
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