层合体及其制造方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102470637B

    公开(公告)日:2016-04-06

    申请号:CN201080032100.2

    申请日:2010-07-12

    Abstract: 根据本发明,提供一种层合体及其制造方法,所述层合体包括基材和形成于上述基材上的含硅膜,上述含硅膜具有由硅原子和氮原子形成的、或者由硅原子、氮原子和氧原子形成的氮高浓度区域,上述氮高浓度区域如下形成:在实质上不含氧或水蒸气的气氛下,对形成于基材上的聚硅氮烷膜进行能量线照射,将该膜的至少一部分改性。

    层合体及其制造方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102470637A

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201080032100.2

    申请日:2010-07-12

    Abstract: 根据本发明,提供一种层合体及其制造方法,所述层合体包括基材和形成于上述基材上的含硅膜,上述含硅膜具有由硅原子和氮原子形成的、或者由硅原子、氮原子和氧原子形成的氮高浓度区域,上述氮高浓度区域如下形成:在实质上不含氧或水蒸气的气氛下,对形成于基材上的聚硅氮烷膜进行能量线照射,将该膜的至少一部分改性。

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