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公开(公告)号:CN102348641A
公开(公告)日:2012-02-08
申请号:CN201080011555.6
申请日:2010-03-12
Applicant: 三井化学株式会社
CPC classification number: C01B37/00 , H01G9/2031 , H01M4/48 , H01M4/62 , H01M14/005 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 一种金属氧化物多孔质体,其特征在于,通过以下方式得到:在下述通式(1)所表示的数均分子量为2.5×104以下的末端支化型共聚物粒子的存在下,通过金属醇盐和/或其部分水解缩合物的溶胶-凝胶反应而得到有机无机复合物,并从所述有机无机复合物中除去前述末端支化型共聚物粒子。
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公开(公告)号:CN101910248A
公开(公告)日:2010-12-08
申请号:CN200980101722.3
申请日:2009-01-06
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C08G65/26 , A61K8/04 , A61K8/86 , C08F8/00 , C08L71/02 , C09D5/02 , C09D7/12 , C09D11/02 , C09D153/00
CPC classification number: C09D123/36 , A61K8/0241 , A61K8/86 , A61K2800/654 , A61Q5/02 , A61Q19/10 , C08F8/00 , C08G65/2609 , C08G65/2624 , C08G65/2648 , C08K3/34 , C08K5/057 , C08L71/02 , C08L2205/05 , C09D1/00 , C09D5/02 , C09D7/65 , C09D7/67 , C09D11/106 , C09D123/06 , C09D123/10 , C09D171/02 , Y10T428/2982 , Y10T428/31855 , C08F10/00
Abstract: 本发明提供一种包含下述通式(1)表示的数均分子量为2.5×104以下的末端支化共聚物的聚合物粒子。通式(1)中,A表示聚烯烃链;R1和R2表示氢原子或碳原子数1~18的烷基,至少其中任一方是氢原子;X1和X2相同或者不同,表示直链或者支链的聚亚烷基二醇基。
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公开(公告)号:CN105131272B
公开(公告)日:2018-05-04
申请号:CN201510582273.6
申请日:2009-01-06
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C08G65/26 , A61K8/04 , A61K8/86 , C08F8/00 , C08L71/02 , C09D7/61 , C09D7/63 , C09D11/102 , C09D171/02
CPC classification number: C09D123/36 , A61K8/0241 , A61K8/86 , A61K2800/654 , A61Q5/02 , A61Q19/10 , C08F8/00 , C08G65/2609 , C08G65/2624 , C08G65/2648 , C08K3/34 , C08K5/057 , C08L71/02 , C08L2205/05 , C09D1/00 , C09D5/02 , C09D7/65 , C09D7/67 , C09D11/106 , C09D123/06 , C09D123/10 , C09D171/02 , Y10T428/2982 , Y10T428/31855 , C08F10/00
Abstract: 本发明涉及新型聚合物粒子及其用途。本发明提供一种包含下述通式(1)表示的数均分子量为2.5×104以下的末端支化共聚物的聚合物粒子,末端支化共聚物的聚烯烃链部分的熔点为80℃以上,所述粒子的50%体积平均粒径为1nm~100nm。通式(1)中,A表示聚烯烃链;R1和R2表示氢原子或碳原子数1~18的烷基,至少其中任一方是氢原子;X1和X2相同或者不同,表示直链或者支链的聚亚烷基二醇基。
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公开(公告)号:CN102470637B
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201080032100.2
申请日:2010-07-12
Applicant: 三井化学株式会社
Abstract: 根据本发明,提供一种层合体及其制造方法,所述层合体包括基材和形成于上述基材上的含硅膜,上述含硅膜具有由硅原子和氮原子形成的、或者由硅原子、氮原子和氧原子形成的氮高浓度区域,上述氮高浓度区域如下形成:在实质上不含氧或水蒸气的气氛下,对形成于基材上的聚硅氮烷膜进行能量线照射,将该膜的至少一部分改性。
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公开(公告)号:CN104379340B
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201380026125.5
申请日:2013-07-03
Applicant: 三井化学株式会社 , 三井化学东赛璐株式会社
IPC: B32B27/08 , B32B27/28 , H01L31/048 , B32B37/18
Abstract: 本发明涉及的层叠体包括基材(A)、在基材(A)的至少一个面上依次层叠的含硅层(B)、和由具有聚合性基团的有机酸金属盐得到的聚合物层(C),含硅层(B)具有含有硅原子和氮原子、或硅原子和氮原子和氧原子、或硅原子和氮原子和氧原子和碳原子的氮高浓度区域,上述氮高浓度区域是通过在氧浓度为5%以下及/或室温23℃下的相对湿度为30%以下的条件下,对在基材(A)上形成的聚硅氮烷膜进行能量射线照射,将该膜的至少一部分改性而形成的。
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公开(公告)号:CN104379340A
公开(公告)日:2015-02-25
申请号:CN201380026125.5
申请日:2013-07-03
Applicant: 三井化学株式会社 , 三井化学东赛璐株式会社
IPC: B32B9/00 , B32B27/00 , B32B37/00 , H01L31/048
Abstract: 本发明涉及的层叠体包括基材(A)、在基材(A)的至少一个面上依次层叠的含硅层(B)、和由具有聚合性基团的有机酸金属盐得到的聚合物层(C),含硅层(B)具有含有硅原子和氮原子、或硅原子和氮原子和氧原子、或硅原子和氮原子和氧原子和碳原子的氮高浓度区域,上述氮高浓度区域是通过在氧浓度为5%以下及/或室温23℃下的相对湿度为30%以下的条件下,对在基材(A)上形成的聚硅氮烷膜进行能量射线照射,将该膜的至少一部分改性而形成的。
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公开(公告)号:CN102348641B
公开(公告)日:2014-03-19
申请号:CN201080011555.6
申请日:2010-03-12
Applicant: 三井化学株式会社
CPC classification number: C01B37/00 , H01G9/2031 , H01M4/48 , H01M4/62 , H01M14/005 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 一种金属氧化物多孔质体,其特征在于,通过以下方式得到:在下述通式(1)所表示的数均分子量为2.5×104以下的末端支化型共聚物粒子的存在下,通过金属醇盐和/或其部分水解缩合物的溶胶-凝胶反应而得到有机无机复合物,并从所述有机无机复合物中除去前述末端支化型共聚物粒子。
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公开(公告)号:CN105131272A
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN201510582273.6
申请日:2009-01-06
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C08G65/26 , A61K8/04 , A61K8/86 , C08F8/00 , C08L71/02 , C09D7/12 , C09D11/102 , C09D171/02
CPC classification number: C09D123/36 , A61K8/0241 , A61K8/86 , A61K2800/654 , A61Q5/02 , A61Q19/10 , C08F8/00 , C08G65/2609 , C08G65/2624 , C08G65/2648 , C08K3/34 , C08K5/057 , C08L71/02 , C08L2205/05 , C09D1/00 , C09D5/02 , C09D7/65 , C09D7/67 , C09D11/106 , C09D123/06 , C09D123/10 , C09D171/02 , Y10T428/2982 , Y10T428/31855 , C08F10/00
Abstract: 本发明涉及新型聚合物粒子及其用途。本发明提供一种包含下述通式(1)表示的数均分子量为2.5×104以下的末端支化共聚物的聚合物粒子,末端支化共聚物的聚烯烃链部分的熔点为80℃以上,所述粒子的50%体积平均粒径为1nm~100nm。通式(1)中,A表示聚烯烃链;R1和R2表示氢原子或碳原子数1~18的烷基,至少其中任一方是氢原子;X1和X2相同或者不同,表示直链或者支链的聚亚烷基二醇基。
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公开(公告)号:CN102470637A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201080032100.2
申请日:2010-07-12
Applicant: 三井化学株式会社
Abstract: 根据本发明,提供一种层合体及其制造方法,所述层合体包括基材和形成于上述基材上的含硅膜,上述含硅膜具有由硅原子和氮原子形成的、或者由硅原子、氮原子和氧原子形成的氮高浓度区域,上述氮高浓度区域如下形成:在实质上不含氧或水蒸气的气氛下,对形成于基材上的聚硅氮烷膜进行能量线照射,将该膜的至少一部分改性。
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