公开(公告)号：CN1867980A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200480029744.0

申请日：2004-10-08

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 盐崎裕由 ,  宫里将敬 ,  石田努 ,  小木曾章 ,  上野惠司 ,  臼井英夫

IPC: G11B7/24 ,  B41M5/26

CPC classification number: G01N33/54346

Abstract: 本发明提供能利用波长为300nm～900nm的激光进行良好的记录和再现的光记录介质以及新型化合物。所述光记录介质的特征在于，该记录层(A)上利用激光记录的记录部位的记录层膜厚(a2)相对该记录层(A)的未记录部分的记录层膜厚(a1)的变化率(|[a2－a1]/a1|×100)小于25％，并且，该记录层(A)中利用激光记录的记录部位的记录层膜厚(a2)相对该记录层(A)的未记录部位的记录层膜厚(a1)的变化量(|a2－a1|)被控制为小于15nm。所述化合物具有由4个碳原子和2个氮原子构成的六元环结构，并且，键合有取代或无取代的氨基。

公开(公告)号：CN101370875A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200780002606.7

申请日：2007-01-19

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 西本泰三 ,  石田努 ,  清野和浩 ,  宫里将敬 ,  藤井谦一 ,  今井雅夫 ,  高桥英一 ,  上野惠司 ,  臼井英夫 ,  麻生善昭 ,  小木曾章 ,  铃木理穗子 ,  木下智之 ,  高坂明宏 ,  加藤健一 ,  吉田高史 ,  佐佐木浩之 ,  熊谷洋二郎

IPC: C09B45/34 ,  B41M5/26 ,  C07D209/48 ,  C07D401/12 ,  C07D403/12 ,  C07D403/14 ,  C07D405/12 ,  C07D405/14 ,  C07D409/12 ,  C07D413/12 ,  C07D417/12 ,  G11B7/244

CPC classification number: G11B7/249 ,  C07D209/48 ,  C07D401/12 ,  C07D403/12 ,  C07D403/14 ,  C07D405/12 ,  C07D405/14 ,  C07D409/12 ,  C07D413/12 ,  C07D417/12 ,  C09B29/0096 ,  C09B45/025 ,  C09B45/34 ,  G11B7/246 ,  G11B7/2467 ,  G11B7/2492 ,  G11B7/2542 ,  G11B7/259 ,  G11B2007/24612

Abstract: 本发明提供下述通式(1)表示的新型偶氮化合物和金属形成的金属螯合物、下述通式(2)表示的新型偶氮化合物以及在记录层中含有偶氮金属螯合物的光记录介质，该光记录介质能用波长300～900nm的激光进行良好的记录和再现。(1)式中，环A表示碳环式芳香族环、或杂环式芳香族环，构成环的原子中，彼此相邻的2个原子之间通过下述通式(a)表示的连接基团连接，形成至少一个酰亚胺环，R1、R2分别独立地表示氢原子、羟基等，Y表示具有活性氢的基团((a)式中X表示氢原子、羟基等)；(2)式中，环B表示烃环或杂环，环A及Y表示与上述相同的含义。

公开(公告)号：CN104379340B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201380026125.5

申请日：2013-07-03

Applicant: 三井化学株式会社 ,  三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 福本晴彦 ,  小田川健二 ,  臼井英夫 ,  高桥英一 ,  高木斗志彦 ,  高野雅子 ,  中村修 ,  进藤清孝

IPC: B32B27/08 ,  B32B27/28 ,  H01L31/048 ,  B32B37/18

Abstract: 本发明涉及的层叠体包括基材(A)、在基材(A)的至少一个面上依次层叠的含硅层(B)、和由具有聚合性基团的有机酸金属盐得到的聚合物层(C)，含硅层(B)具有含有硅原子和氮原子、或硅原子和氮原子和氧原子、或硅原子和氮原子和氧原子和碳原子的氮高浓度区域，上述氮高浓度区域是通过在氧浓度为5％以下及/或室温23℃下的相对湿度为30％以下的条件下，对在基材(A)上形成的聚硅氮烷膜进行能量射线照射，将该膜的至少一部分改性而形成的。

公开(公告)号：CN104379340A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380026125.5

申请日：2013-07-03

Applicant: 三井化学株式会社 ,  三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 福本晴彦 ,  小田川健二 ,  臼井英夫 ,  高桥英一 ,  高木斗志彦 ,  高野雅子 ,  中村修 ,  进藤清孝

IPC: B32B9/00 ,  B32B27/00 ,  B32B37/00 ,  H01L31/048

Abstract: 本发明涉及的层叠体包括基材(A)、在基材(A)的至少一个面上依次层叠的含硅层(B)、和由具有聚合性基团的有机酸金属盐得到的聚合物层(C)，含硅层(B)具有含有硅原子和氮原子、或硅原子和氮原子和氧原子、或硅原子和氮原子和氧原子和碳原子的氮高浓度区域，上述氮高浓度区域是通过在氧浓度为5％以下及/或室温23℃下的相对湿度为30％以下的条件下，对在基材(A)上形成的聚硅氮烷膜进行能量射线照射，将该膜的至少一部分改性而形成的。