荧光体
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107109218B

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201680004613.X

    申请日:2016-02-10

    IPC分类号: C09K11/59 C09D5/22 C09D201/00

    摘要: 本发明提供被宽频带的可见光激发、能够发出高强度的近红外光的新的荧光体。提出了一种荧光体,其特征在于,包含式(1):MCuSi2O6(式中的M包含Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上)所示的晶相和式(2):MCuSi4O10(式中的M包含Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上)所示的晶相,并且,在通过使用了CuKα射线的粉末X射线衍射测定(XRD)得到的XRD图案中,MCuSi4O10的衍射峰强度相对于MCuSi2O6的衍射峰强度的比率β为0

    荧光体
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107109218A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201680004613.X

    申请日:2016-02-10

    IPC分类号: C09K11/59 C09D7/12 C09D201/00

    摘要: 本发明提供被宽频带的可见光激发、能够发出高强度的近红外光的新的荧光体。提出了一种荧光体,其特征在于,包含式(1):MCuSi2O6(式中的M包含Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上)所示的晶相和式(2):MCuSi4O10(式中的M包含Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上)所示的晶相,并且,在通过使用了CuKα射线的粉末X射线衍射测定(XRD)得到的XRD图案中,MCuSi4O10的衍射峰强度相对于MCuSi2O6的衍射峰强度的比率β为0