公开(公告)号：CN106029603B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201580009747.6

申请日：2015-02-12

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 中山德行 ,  西村英一郎 ,  松村文彦 ,  井藁正史

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/5853 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体以及使用所述氧化物烧结体的溅射靶，在通过溅射法将所述氧化物烧结体制成氧化物半导体薄膜时，能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有作为氧化物的铟、镓和锌。由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的镓的含量为0.08以上且小于0.20，由Zn/(In+Ga+Zn)原子数比所表示的锌的含量为0.0001以上且小于0.08。将该氧化物烧结体作为溅射靶而形成的晶质氧化物半导体薄膜所获得的载流子浓度为8.0×1017cm‑3以下，载流子迁移率为10cm2/V·s以上。

公开(公告)号：CN106029604B

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201580009757.X

申请日：2015-02-12

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 中山德行 ,  西村英一郎 ,  松村文彦 ,  井藁正史

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体以及使用所述氧化物烧结体的溅射靶，在通过溅射法将所述氧化物烧结体制成氧化物半导体薄膜时，能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有作为氧化物的铟、镓和锌。由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的镓的含量为0.20以上且0.49以下，由Zn/(In+Ga+Zn)原子数比所表示的锌的含量为0.0001以上且小于0.08。将该氧化物烧结体作为溅射靶而形成的非晶质氧化物半导体薄膜所获得的载流子浓度为4.0×1018cm‑3以下，载流子迁移率为10cm2/V·s以上。