公开(公告)号：CN114106691A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111383955.6

申请日：2021-11-19

申请人： 三峡大学

发明人： 谭新玉 ,  聂仕晋 ,  耿嘉林 ,  胡伟伟 ,  肖婷 ,  姜礼华

IPC分类号： C09D183/04 ,  C09D1/00 ,  C09D7/61

摘要： 本发明涉及复合型具有超疏水辐射制冷的涂层材料，该超疏水辐射制冷的涂层材料从内到外依次为K层、P层，其中K层为γ―甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷掺杂SiO2涂层，标记为KH‑570@SiO2，P层为聚二甲基硅氧烷掺杂SiO2涂层，标记为PDMS@SiO2，K层为2‑4层，P层为1‑3层。相较于单独PDMS/SiO2混合参杂型材料，本方法可将制备温度从400℃下降到175℃。在进行机械臂耐摩擦实验往返200次以后，疏水角从158.75°只下降到155°，滚动角从小于5°上升到大于10°。该超疏水薄膜相较于玻璃片，具有辐射制冷的优良特性，温度可以下降10°‾15°，是一种超疏水加辐射制冷的薄膜。

公开(公告)号：CN114106691B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111383955.6

申请日：2021-11-19

申请人： 三峡大学

发明人： 谭新玉 ,  聂仕晋 ,  耿嘉林 ,  胡伟伟 ,  肖婷 ,  姜礼华

IPC分类号： C09D183/04 ,  C09D1/00 ,  C09D7/61

摘要： 本发明涉及复合型具有超疏水辐射制冷的涂层材料，该超疏水辐射制冷的涂层材料从内到外依次为K层、P层，其中K层为γ―甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷掺杂SiO2涂层，标记为KH‑570@SiO2，P层为聚二甲基硅氧烷掺杂SiO2涂层，标记为PDMS@SiO2，K层为2‑4层，P层为1‑3层。相较于单独PDMS/SiO2混合参杂型材料，本方法可将制备温度从400℃下降到175℃。在进行机械臂耐摩擦实验往返200次以后，疏水角从158.75°只下降到155°，滚动角从小于5°上升到大于10°。该超疏水薄膜相较于玻璃片，具有辐射制冷的优良特性，温度可以下降10°‾15°，是一种超疏水加辐射制冷的薄膜。

公开(公告)号：CN115160620B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202210750024.3

申请日：2022-06-29

申请人： 三峡大学

发明人： 杨雄波 ,  耿嘉林 ,  谭新玉 ,  齐贵广 ,  涂伊滕 ,  姚曙民 ,  刘萌 ,  聂仕晋

IPC分类号： C08J7/06 ,  C08J5/18 ,  C08L83/04 ,  C08L27/18 ,  C08L29/04 ,  C08L27/16 ,  C09K5/14

摘要： 本发明提供了一种双层结构辐射制冷薄膜及其制备方法和应用。该薄膜包括底部的聚二甲基硅氧烷膜层，聚二甲基硅氧烷膜层上均匀分布有疏水改性的高岭土粉末层，底层与上层的用量比为5:1~3。本发明还公开了该薄膜及其制备方法和应用，底层膜具有低表面能性质，化学性质稳定，借助改性高岭土的疏水性能，为薄膜的疏水性和耐候性及使用寿命提供了保证；使得薄膜具有较好的辐射制冷效果，且制备工艺简单，能够工业化生产。

公开(公告)号：CN115160620A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210750024.3

申请日：2022-06-29

申请人： 三峡大学

发明人： 杨雄波 ,  耿嘉林 ,  谭新玉 ,  齐贵广 ,  涂伊滕 ,  姚曙民 ,  刘萌 ,  聂仕晋

IPC分类号： C08J7/06 ,  C08J5/18 ,  C08L83/04 ,  C08L27/18 ,  C08L29/04 ,  C08L27/16 ,  C09K5/14

摘要： 本发明提供了一种双层结构辐射制冷薄膜及其制备方法和应用。该薄膜包括底部的聚二甲基硅氧烷膜层，聚二甲基硅氧烷膜层上均匀分布有疏水改性的高岭土粉末层，底层与上层的用量比为5:1~3。本发明还公开了该薄膜及其制备方法和应用，底层膜具有低表面能性质，化学性质稳定，借助改性高岭土的疏水性能，为薄膜的疏水性和耐候性及使用寿命提供了保证；使得薄膜具有较好的辐射制冷效果，且制备工艺简单，能够工业化生产。