一种掺杂大块单晶SnS的制备方法

    公开(公告)号:CN108624958A

    公开(公告)日:2018-10-09

    申请号:CN201810486631.7

    申请日:2018-05-21

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: C30B29/46 C30B11/00

    摘要: 本发明属于半导体材料掺杂技术领域,公开了一种掺杂大块单晶SnS的制备方法,将原料按化学计量比在具有氩气保护环境的手套箱中配好并真空封与石英管中,置于自制的单晶炉中,用2400分钟升温到1000度,在1000度保温800分钟来保证原料充分扩散;将炉温将至900度,利用自制单晶炉中的温度梯度,采用布里奇曼法,通过1mm/h的速率移动;共计六天时间。大块掺杂单晶SnS的生长,使用改进的布里奇曼方法;解决了生长过程中硫元素产生过大蒸汽压,这蒸汽压会导致石英管爆炸。

    一种多晶SnSe热电材料的制备方法

    公开(公告)号:CN107522489B

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN201710730503.8

    申请日:2017-08-23

    申请人: 重庆大学

    摘要: 本发明属于热电材料技术领域,公开了一种多晶SnSe热电材料的制备方法,包括:利用单晶制备方法制备高性能单晶;将制备的高性能单晶或者高性能单晶所用后所剩余材料使用研砵、粉碎机等工具将单晶初步研磨成晶粒尺寸小于500μm的细粉;使用球磨机将细粉细化至晶粒尺寸为0.2μm~20μm的超细粉;使用热压设备或者等离子电火花烧结设备将超细粉烧结成块体。本发明利用这多余的材料制备的多晶热电材料的性能优于传统固相合成的多晶材料的性能;同时利用研砵、粉碎机和球磨机细化出合适尺寸的晶粒,可以提高多晶材料的热电性能(zT)和材料稳定性。

    一种多晶SnSe热电材料的制备方法

    公开(公告)号:CN107522489A

    公开(公告)日:2017-12-29

    申请号:CN201710730503.8

    申请日:2017-08-23

    申请人: 重庆大学

    摘要: 本发明属于热电材料技术领域,公开了一种多晶SnSe热电材料的制备方法,包括:利用单晶制备方法制备高性能单晶;将制备的高性能单晶或者高性能单晶所用后所剩余材料使用研砵、粉碎机等工具将单晶初步研磨成晶粒尺寸小于500μm的细粉;使用球磨机将细粉细化至晶粒尺寸为0.2μm~20μm的超细粉;使用热压设备或者等离子电火花烧结设备将超细粉烧结成块体。本发明利用这多余的材料制备的多晶热电材料的性能优于传统固相合成的多晶材料的性能;同时利用研砵、粉碎机和球磨机细化出合适尺寸的晶粒,可以提高多晶材料的热电性能(zT)和材料稳定性。