氧化铟锡溅射靶和使用该溅射靶制备的透明导电膜

    公开(公告)号:CN102051587A

    公开(公告)日:2011-05-11

    申请号:CN201010532678.6

    申请日:2010-10-29

    CPC classification number: C23C14/3414 C23C14/086 G02F1/13439

    Abstract: 氧化铟锡溅射靶包括氧化铟、氧化锡和镓。锡原子的含量是铟和锡原子总量的5至15原子%,且镓原子的含量是铟、锡和镓原子总量的0.5至7原子%。制备氧化铟锡透明导电膜的方法,包括通过对所述溅射靶溅射以沉积所述透明导电膜。具有高耐受性的所述氧化铟锡透明导电膜可通过以下步骤制备:在第一温度下对所述溅射靶溅射以沉积非结晶透明导电膜,用弱酸蚀刻以将所述沉积的非结晶透明导电膜图案化,和在高于所述第一温度的第二温度下结晶所述图案化的非结晶透明导电膜。结晶温度在150℃至210℃范围内,或在170℃至210℃范围内。

    用于补偿色偏的光滤波器和具有该光滤波器的显示装置

    公开(公告)号:CN101685220B

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN200910171949.7

    申请日:2009-09-22

    CPC classification number: G02F1/133514 G02B5/223

    Abstract: 本发明公开用于补偿色偏的光滤波器和具有该光滤波器的显示装置。所述光滤波器被提供在显示装置的显示面板的前面。所述光滤波器包括背景层和提供在所述背景层上具有预定厚度的绿色波长吸收图案。绿色波长吸收图案吸收绿色波长的光。所述绿色波长吸收图案包含吸收510nm至560nm范围中的绿色波长的光的材料,并且还可包含白光吸收材料。绿色的互补色吸收部分吸收与绿色互补的波长的光,并且包含吸收440nm至480nm范围内的蓝色波长的光的材料和吸收600nm至650nm范围内的红色波长的光的材料中的至少一种。第一厚膜层、第一薄膜层和第二厚膜层以所描述的顺序互相堆叠。

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