公开(公告)号：CN103489899A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310222584.2

申请日：2013-06-06

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 李斗炯 ,  杨灿佑 ,  郑丞淏 ,  D.N.金 ,  金保成 ,  朴恩惠 ,  崔畯煥

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01B1/06 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/66742

摘要： 本发明涉及氧化物半导体的前体组合物、薄膜晶体管基板及其制法。根据本发明的示例性实施方案的薄膜晶体管基板包括：设置于绝缘衬底上的包括金属的半导体层，与所述半导体层交叠的栅电极，以及与所述半导体层交叠的源电极和漏电极，其中所述半导体层中的所述金属包括铟(In)、锌(Zn)和锡(Sn)，和所述半导体层中铟(In)与所述金属的摩尔比(R,)小于约20%，并且更特别地，所述半导体层中铟(In)与金属的摩尔比(R,)为约5%－约13%。