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发明公开
制造磁阻随机存取存储器器件的方法审中-实审

公开(公告)号：CN115643785A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202210649427.9

申请日：2022-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉宽 , 郑大恩 , 南垧兑

IPC: H10N50/01 , H10N50/10 , H10N50/80 , H10B61/00

Abstract: 一种制造磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的方法，包括：在衬底上形成绝缘中间层；形成延伸穿过绝缘中间层的接触插塞；形成覆盖接触插塞的上表面的第一阻挡层，第一阻挡层包括非晶材料；在第一阻挡层上形成下电极层；以及在下电极层上形成磁隧道结结构层。

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