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公开(公告)号：CN106960855A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201710022597.3
申请日：2017-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/1461 , H01L27/14614 , H01L27/1463 , H04N5/37455 , H04N5/3765 , H04N5/378 , H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14609
Abstract: 本公开涉及互补金属氧化物半导体图像传感器。一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器被提供，其包括衬底，衬底包括第一表面、面对第一表面的第二表面、以及从第一表面向第二表面凹陷的第一凹陷区域。CMOS图像传感器还包括在衬底上的传输栅，以及在第一凹陷区域上的源极跟随器栅。源极跟随器栅在第一凹陷区域中并且部分覆盖衬底的第一表面的一部分。
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公开(公告)号：CN106960855B
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN201710022597.3
申请日：2017-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
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