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公开(公告)号：CN107068703B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201710022739.6
申请日：2017-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 井原久典
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括包含逻辑电路的下部基板和包含像素的上部基板。提供在上部基板上的晶体管具有相同导电类型。晶体管的每个包括：提供在上部基板中的源/漏区域；提供在上部基板上的上部栅电极；以及设置在上部基板和上部栅电极之间的硅氧化物层。硅氧化物层与上部基板和上部栅电极物理接触。
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公开(公告)号：CN109962045A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811195151.1
申请日：2018-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/528 , H01L27/144
Abstract: 一种半导体器件包括在下基板上的下绝缘层、在下绝缘层内部的下焊盘结构、在下绝缘层上的上绝缘层、在上绝缘层内部的上焊盘结构、以及在上绝缘层上的上基板。通路插塞穿过上基板、上绝缘层和下绝缘层中的每个的至少一部分，并且与上焊盘结构和下焊盘结构接触。上焊盘结构包括多个上焊盘导电层和在上焊盘导电层之间的上连接层。上连接层包括导电图案，该导电图案具有与上焊盘导电层中的至少一个的形状不同的形状。通路插塞与上焊盘导电层和上连接层直接接触。
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公开(公告)号：CN107068703A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710022739.6
申请日：2017-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 井原久典
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14868 , H01L27/14689
Abstract: 一种图像传感器包括包含逻辑电路的下部基板和包含像素的上部基板。提供在上部基板上的晶体管具有相同导电类型。晶体管的每个包括：提供在上部基板中的源/漏区域；提供在上部基板上的上部栅电极；以及设置在上部基板和上部栅电极之间的硅氧化物层。硅氧化物层与上部基板和上部栅电极物理接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109962045B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201811195151.1
申请日：2018-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/528 , H01L27/144
Abstract: 一种半导体器件包括在下基板上的下绝缘层、在下绝缘层内部的下焊盘结构、在下绝缘层上的上绝缘层、在上绝缘层内部的上焊盘结构、以及在上绝缘层上的上基板。通路插塞穿过上基板、上绝缘层和下绝缘层中的每个的至少一部分，并且与上焊盘结构和下焊盘结构接触。上焊盘结构包括多个上焊盘导电层和在上焊盘导电层之间的上连接层。上连接层包括导电图案，该导电图案具有与上焊盘导电层中的至少一个的形状不同的形状。通路插塞与上焊盘导电层和上连接层直接接触。
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公开(公告)号：CN104882460B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201510090044.2
申请日：2015-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 井原久典
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
Abstract: 提供了图像传感器和制造图像传感器的方法，图像传感器包括：限定多个像素区域的基底，基底具有第一表面和背对第一表面的第二表面。基底的第二表面被构造为接收入射在其上的光，并且基底限定从基底的第二表面朝向基底的第一表面延伸并且使多个像素区域彼此分开的深沟槽。在基底的多个像素区域中的每个像素区域中，设置了光电转换区域。栅电极设置在光电转换区域上，还设置了覆盖深沟槽的侧壁的至少一部分和基底的第二表面的负的固定电荷层。图像传感器还包括位于基底的第一表面上的浅器件隔离层。浅器件隔离层限定每个像素区域中的有源区域，负的固定电荷层接触浅器件隔离层。
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公开(公告)号：CN106960855A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201710022597.3
申请日：2017-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/1461 , H01L27/14614 , H01L27/1463 , H04N5/37455 , H04N5/3765 , H04N5/378 , H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14609
Abstract: 本公开涉及互补金属氧化物半导体图像传感器。一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器被提供，其包括衬底，衬底包括第一表面、面对第一表面的第二表面、以及从第一表面向第二表面凹陷的第一凹陷区域。CMOS图像传感器还包括在衬底上的传输栅，以及在第一凹陷区域上的源极跟随器栅。源极跟随器栅在第一凹陷区域中并且部分覆盖衬底的第一表面的一部分。
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公开(公告)号：CN106960855B
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN201710022597.3
申请日：2017-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
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公开(公告)号：CN104882460A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510090044.2
申请日：2015-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 井原久典
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
Abstract: 提供了图像传感器和制造图像传感器的方法，图像传感器包括：限定多个像素区域的基底，基底具有第一表面和背对第一表面的第二表面。基底的第二表面被构造为接收入射在其上的光，并且基底限定从基底的第二表面朝向基底的第一表面延伸并且使多个像素区域彼此分开的深沟槽。在基底的多个像素区域中的每个像素区域中，设置了光电转换区域。栅电极设置在光电转换区域上，还设置了覆盖深沟槽的侧壁的至少一部分和基底的第二表面的负的固定电荷层。图像传感器还包括位于基底的第一表面上的浅器件隔离层。浅器件隔离层限定每个像素区域中的有源区域，负的固定电荷层接触浅器件隔离层。
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