公开(公告)号：CN114388507A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111216535.9

申请日：2021-10-19

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 张锡和 ,  金冈昱 ,  鲁贤硕 ,  朴容臣 ,  宣潒珪 ,  李善英 ,  李昭享 ,  李泓浚 ,  郑湖璇 ,  陈姃玟 ,  崔贞姬 ,  崔秦瑞 ,  洪世罗

IPC分类号： H01L27/108

摘要： 一种制造半导体装置的方法包括：形成包括多个晶体管的下部结构；在下部结构上形成导电层；在导电层上形成第一初步焊盘掩模图案和布线掩模图案；在保护布线掩模图案的同时，通过图案化第一初步焊盘掩模图案来形成焊盘掩模图案；以及使用焊盘掩模图案和布线掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻导电层，以形成焊盘图案和布线图案。