公开(公告)号：CN120076398A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202410817511.6

申请日：2024-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 明台勋 ,  郑载勋 ,  金锡勋 ,  益冈有里 ,  洪秀宪 ,  金旻怡 ,  申宇胜 ,  李尚炫 ,  郑东灿

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/85

Abstract: 本公开提供了半导体器件以及制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成堆叠图案，所述堆叠图案包括堆叠在衬底上的有源层和牺牲层，其中，所述有源层包括彼此垂直相邻的两个有源层，并且所述牺牲层介于所述两个有源层之间；通过对所述堆叠图案进行蚀刻来形成凹陷；通过对所述牺牲层的通过所述凹陷暴露的一部分进行蚀刻来形成压痕；在所述凹陷的内表面上形成硅层；在所述压痕中形成内间隔物；通过去除所述牺牲层来形成内区域；以及在所述内区域中形成栅极绝缘层，其中，形成所述栅极绝缘层包括通过对通过所述内区域暴露的所述硅层执行氧化工艺来形成氧化物层。