公开(公告)号：CN118475117A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410159295.0

申请日：2024-02-04

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金时年 ,  尹柱盛 ,  李知恩 ,  曹河娜

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 一种半导体器件包括：有源区域；隔离区域，位于所述有源区域的侧表面上；栅极沟槽，具有与所述有源区域交叉的第一沟槽部分和位于所述隔离区域中的第二沟槽部分；第一栅极部分，位于所述第一沟槽部分内；以及第二栅极部分，位于所述第二沟槽部分内。所述第一栅极部分和所述第二栅极部分均包括：栅极电介质层；栅电极，位于所述栅极电介质层上，部分地填充所述栅极沟槽，并且具有设置在低于所述有源区域的上端的水平高度上的上表面；以及绝缘覆盖图案，位于所述栅电极上。所述第一栅极部分包括下区域、位于所述下区域上的中间区域、以及位于所述中间区域上的上区域。所述中间区域的最大宽度大于所述下区域的最大宽度并且大于所述上区域的最大宽度。

公开(公告)号：CN118173542A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202311599150.4

申请日：2023-11-28

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 安惠利 ,  朴桐湜 ,  申树浩 ,  朴晙晳 ,  朴建熹 ,  李佳垠 ,  张志熏 ,  曹裕珍 ,  曹河娜

IPC分类号： H01L23/552 ,  H10B12/00 ,  H10N97/00

摘要： 半导体装置包括开关元件和电连接到开关元件的数据存储结构。数据存储结构包括第一电极、第二电极、以及位于第一电极与第二电极之间的电介质层。第二电极包括掺杂有杂质元素的化合物半导体层，化合物半导体层包括两种或更多种元素，并且包括掺杂有杂质元素的半导体材料，两种或更多种元素包括第一元素和第二元素，第一元素是硅(Si)，并且化合物半导体层中的杂质元素的浓度在大约0.1at％至大约5at％的范围内，并且化合物半导体层中的第一元素的浓度在大约10at％至大约15at％的范围内。