公开(公告)号：CN111584464A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201911145205.8

申请日：2019-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金毅烈 ,  金善贤 ,  朴喜雨

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/98 ,  H01L27/146

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括顺序堆叠的第一子芯片和第二子芯片以及将第一子芯片和第二子芯片彼此电连接的贯通接触部。第一子芯片和第二子芯片中的每一个子芯片包括衬底和介于衬底之间的多个互连线。第二子芯片的互连线可以包括分别具有第一开口和第二开口的第一互连线和第二互连线，第一开口和第二开口彼此水平偏移。贯通接触部从第二子芯片的衬底朝第一子芯片延伸并可以包括辅助接触部，辅助接触部穿过第一开口和第二开口朝第一子芯片延伸，并具有比第一子芯片的互连线中的最上互连线的顶表面高的底表面。

公开(公告)号：CN103985721B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201410046825.7

申请日：2014-02-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昇炫 ,  朴允童 ,  李容济 ,  孔珠荣 ,  朴喜雨 ,  车承垣 ,  金成瞮

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14612 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14641

Abstract: 公开深度像素、三维图像传感器和操作深度像素的方法。一种三维图像传感器的深度像素包括：第一光栅极，响应于第一光控制信号导通/截止；第一光检测区，被配置为当第一光栅极导通时基于被对象反射的接收光产生第一电荷；第一发送栅极，响应于第一发送控制信号导通/截止；第一浮置扩散区，被配置为当第一发送栅极导通时累积从第一光检测区产生的第一电荷；和第一补偿单元，被配置为基于接收光中包括的环境光分量产生不同于第一电荷的第二电荷，以向第一浮置扩散区供应第二电荷。

公开(公告)号：CN103985721A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410046825.7

申请日：2014-02-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昇炫 ,  朴允童 ,  李容济 ,  孔珠荣 ,  朴喜雨 ,  车承垣 ,  金成瞮

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14612 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14641

Abstract: 本发明公开深度像素、三维图像传感器和操作深度像素的方法。一种三维图像传感器的深度像素包括：第一光栅极，响应于第一光控制信号导通/截止；第一光检测区，被配置为当第一光栅极导通时基于被对象反射的接收光产生第一电荷；第一发送栅极，响应于第一发送控制信号导通/截止；第一浮置扩散区，被配置为当第一发送栅极导通时累积从第一光检测区产生的第一电荷；和第一补偿单元，被配置为基于接收光中包括的环境光分量产生不同于第一电荷的第二电荷，以向第一浮置扩散区供应第二电荷。