用于堆叠式场效应晶体管的具有中心线电源轨的单元架构

    公开(公告)号:CN117936542A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202311387336.3

    申请日:2023-10-25

    IPC分类号: H01L27/092 H01L23/528

    摘要: 提供了一种包括至少一个半导体器件单元的单元架构。该单元包括:在第一方向上延伸的第一有源图案和第二有源图案,第一有源图案在与第一方向相交的第三方向上与第二有源图案至少部分重叠;多个栅极结构,其在第二方向上延伸跨过第一有源图案和第二有源图案,第二方向与第一方向和第三方向相交;单元的至少一个金属层中的多条金属线,金属线在第一方向上延伸,并且金属线中的至少一条连接到第一有源图案和第二有源图案中的至少一个以及栅极结构;以及至少一个电源轨,其将第一有源图案和第二有源图案中的至少一个连接到至少一个电压源。

    集成电路器件的电阻器结构及其形成方法

    公开(公告)号:CN116093081A

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202211324392.8

    申请日:2022-10-27

    IPC分类号: H01L23/64 H10N97/00

    摘要: 提供了集成电路器件的电阻器结构及其形成方法。电阻器结构可以包括:基板;上半导体层,可在垂直方向上与基板间隔开;下半导体层,可在基板和上半导体层之间;以及第一电阻器接触和第二电阻器接触,可在水平方向上彼此间隔开。上半导体层、下半导体层和基板的一部分中的至少一个可以接触第一电阻器接触和第二电阻器接触。