半导体封装件
    1.
    发明公开
    半导体封装件 审中-公开

    公开(公告)号:CN111933587A

    公开(公告)日:2020-11-13

    申请号:CN202010253551.4

    申请日:2020-04-02

    IPC分类号: H01L23/31 H01L23/498

    摘要: 提供一种半导体封装件。所述半导体封装件包括连接结构、半导体芯片和连接金属件。所述连接结构包括重新分布层和连接过孔层。所述半导体芯片设置在所述连接结构上,并且包括连接垫。所述连接金属件设置在所述连接结构上并且通过所述连接结构电连接到所述连接垫。所述连接过孔层包括具有长轴和短轴的连接过孔,并且在平面图中,所述连接过孔的所述短轴与所述连接金属件相交。

    半导体封装件
    3.
    发明公开
    半导体封装件 审中-实审

    公开(公告)号:CN110444539A

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201811581373.7

    申请日:2018-12-24

    摘要: 本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:支撑构件,具有第一表面和第二表面并具有通孔;用于屏蔽的第一金属层,设置在所述通孔的内侧壁以及所述支撑构件的所述第一表面和所述第二表面上;连接构件,设置在所述支撑构件的所述第一表面上,并具有重新分布层;半导体芯片,设置在所述通孔中;包封剂,密封位于所述通孔中的所述半导体芯片,并覆盖所述支撑构件的所述第二表面;用于屏蔽的第二金属层,设置在所述包封剂上,并通过穿透所述包封剂的连接槽过孔连接到所述用于屏蔽的第一金属层;以及加强过孔,设置在所述支撑构件的与所述连接槽过孔重叠的区域中,并连接到所述用于屏蔽的第一金属层。

    包括光敏性聚合物的非离子型非化学放大光致抗蚀剂组合物和制造集成电路器件的方法

    公开(公告)号:CN118625595A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202410229613.6

    申请日:2024-02-29

    IPC分类号: G03F7/004 G03F1/56 G03F7/00

    摘要: 本发明涉及包括光敏性聚合物的非离子型非化学放大光致抗蚀剂组合物和制造集成电路器件的方法。光致抗蚀剂组合物包括包含光敏性聚合物的非离子型非化学放大光致抗蚀剂组合物,光敏性聚合物包括具有极性反转基团的第一重复单元和具有敏化基团的第二重复单元。制造集成电路器件的方法包括:通过使用光致抗蚀剂组合物在特征层上形成光致抗蚀剂膜,将作为光致抗蚀剂膜的一部分的第一区域曝光以在第一区域中由第二重复单元产生二次电子并且通过使用第一区域中的二次电子改变第一重复单元的极性以反转第一区域的极性,通过使用显影剂除去光致抗蚀剂膜的未经曝光的区域以形成包括第一区域的光致抗蚀剂图案,和通过使用光致抗蚀剂图案处理特征层。

    半导体封装件
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110444539B

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN201811581373.7

    申请日:2018-12-24

    摘要: 本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:支撑构件,具有第一表面和第二表面并具有通孔;用于屏蔽的第一金属层,设置在所述通孔的内侧壁以及所述支撑构件的所述第一表面和所述第二表面上;连接构件,设置在所述支撑构件的所述第一表面上,并具有重新分布层;半导体芯片,设置在所述通孔中;包封剂,密封位于所述通孔中的所述半导体芯片,并覆盖所述支撑构件的所述第二表面;用于屏蔽的第二金属层,设置在所述包封剂上,并通过穿透所述包封剂的连接槽过孔连接到所述用于屏蔽的第一金属层;以及加强过孔,设置在所述支撑构件的与所述连接槽过孔重叠的区域中,并连接到所述用于屏蔽的第一金属层。