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公开(公告)号:CN112542764A
公开(公告)日:2021-03-23
申请号:CN202010283088.8
申请日:2020-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01S5/0232 , H01S5/02345 , H01S5/02255 , H01S5/026 , G02F1/29
Abstract: 提供了一种光学调制器,包括:多个单元体;有源层,包括彼此分离的多个折射率变化区域,所述多个折射率变化区域中的每个折射率变化区域具有基于向其施加的电信号而变化的折射率;多个天线图案,设置在所述有源层上方;以及镜层,与所述多个天线图案相对地设置在所述有源层下方。
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公开(公告)号:CN110297372A
公开(公告)日:2019-10-01
申请号:CN201910166850.1
申请日:2019-03-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种光束扫描设备,包括:配置为发射光的光源;以及反射相控阵装置,其被配置为反射自光源发射且入射在反射相控阵装置上的光并电调节被反射相控阵装置反射的反射光的反射角,其中光源和反射相控阵装置被设置使得光以相对于反射相控阵装置的反射表面的法线的入射角入射在反射相控阵装置上。
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公开(公告)号:CN110609385B
公开(公告)日:2023-08-25
申请号:CN201910006984.7
申请日:2019-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B26/08
Abstract: 提供一种光调制器件以及包括该光调制器件的光学装置。光调制器件可以包括:位于驱动电路基板上的多个反射器;位于所述多个反射器上的多个纳米天线;以及有源层,位于所述多个反射器和所述多个纳米天线之间并被图案化为具有多个开口。光调制器件还可以包括:多个第一连接构件,配置为将驱动电路基板电连接到所述多个反射器;以及多个第二连接构件,配置为将驱动电路基板电连接到所述多个纳米天线。所述多个第二连接构件可以通过所述多个开口连接到所述多个纳米天线。
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公开(公告)号:CN113922885A
公开(公告)日:2022-01-11
申请号:CN202110770229.3
申请日:2021-07-07
Applicant: 三星电子株式会社 , 利兰斯坦福初级大学信托董事会
IPC: H04B10/548
Abstract: 提供了一种相位调制器,包括:天线图案;下反射层,在竖直方向上与天线图案间隔开;间隔物,设置在天线图案和下反射层之间;以及相移图案,包括在间隔物中,该相移图案包括相移材料。
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公开(公告)号:CN111162386A
公开(公告)日:2020-05-15
申请号:CN201910405504.4
申请日:2019-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01Q23/00 , G01S7/481 , G01S17/08 , G01S17/931 , G02F1/29
Abstract: 提供了一种波束扫描装置,包括:多个天线谐振器,在行方向和列方向上二维地设置;多个行电压线,被配置为在行方向上分别提供多个驱动电压;多个列电压线,被配置为在列方向上分别提供多个驱动电压;以及驱动电压转换电路,被配置为基于从多个行电压线中的每一个行电压线提供的行方向上的驱动电压以及从多个列电压线中的每一个列电压线提供的列方向上的驱动电压,控制被施加到多个天线谐振器中的每一个天线谐振器的驱动电压。
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公开(公告)号:CN109426010A
公开(公告)日:2019-03-05
申请号:CN201810965058.8
申请日:2018-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N9/315 , G02B5/3083 , G02B26/0833 , G02F1/292 , G02F2202/00 , G02F2202/30 , G02F2203/12 , G02F1/01 , G02B1/002
Abstract: 提供了光调制器件和包括其的电子装置。该光调制器件包括:金属层;可变电阻材料层,在金属层上方并具有取决于施加到其的电压的多个电阻状态;以及超表面层,在可变电阻材料层上方并包括纳米结构,该纳米结构包括导电材料并具有亚波长尺寸。
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公开(公告)号:CN109254422A
公开(公告)日:2019-01-22
申请号:CN201810379043.3
申请日:2018-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供光调制器件及包括光调制器件的光设备。光调制器件可以包括纳米天线、导体、以及位于纳米天线和导体之间的有源层。光调制器件还可以包括位于有源层和导体之间的第一电介质层以及位于有源层和纳米天线之间的第二电介质层。光调制器件还可以包括信号施加单元,该信号施加单元被配置为独立地将电信号施加到纳米天线、有源层和导体中的至少两个。
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