烷氧基N-羟基烷基链酰胺作为抗蚀剂脱除剂的用途

    公开(公告)号:CN1243971A

    公开(公告)日:2000-02-09

    申请号:CN99111965.7

    申请日:1999-08-05

    CPC classification number: G03F7/425

    Abstract: 本发明公开了一种抗蚀剂脱除剂和一种脱除抗蚀剂的组合物,其具有优异的抗蚀剂和聚合物脱除性能,其不会对底层产生侵蚀,本发明还公开了所述抗蚀剂脱除剂和脱除抗蚀剂的组合物的制备方法和采用所述抗蚀剂脱除剂和脱除抗蚀剂的组合物脱除抗蚀剂的方法。所述抗蚀剂脱除剂包含烷氧基N-羟基烷基链酰胺。所述抗蚀剂脱除组合物,包含烷氧基N-羟基烷基链烷酰胺和至少一种偶极矩为3或大于3的极性材料和一种侵蚀抑制剂以及一种链烷醇胺。在其上具有抗蚀剂的基质与所述的抗蚀剂脱除剂或抗蚀剂脱除组合物可脱除抗蚀剂。

    用于半导体器件制备的显影设备及其控制方法

    公开(公告)号:CN1087445C

    公开(公告)日:2002-07-10

    申请号:CN97113629.7

    申请日:1997-06-20

    CPC classification number: G03F7/3021

    Abstract: 一种用于半导体器件制备的显影设备,包括工作台,装在工作台上并装有适量显影液的容器,装在容器上方、固定已曝光晶片底面的旋转盘,使旋转盘转动的驱动电机,使旋转盘垂直传动以使晶片在容器中上下移动的垂直驱动器,使旋转盘和垂直驱动器转动一定角度以使晶片的图案形成面有选择地转向上或转向下的翻转驱动器,提供适量显影液到容器中的显影液供应器,以及喷洒清洗液到晶片的图案形成面上的清洗液供应器。

    用于半导体器件制备的显影设备及其控制方法

    公开(公告)号:CN1183580A

    公开(公告)日:1998-06-03

    申请号:CN97113629.7

    申请日:1997-06-20

    CPC classification number: G03F7/3021

    Abstract: 一种用于半导体器件制备的显影设备,包括工作台,装在工作台上并装有适量显影液的容器,装在容器上方、固定已曝光晶片底面的旋转盘,使旋转盘转动的驱动电机,使旋转盘垂直传动以使晶片在容器中上下移动的垂直驱动器,使旋转盘和垂直驱动器转动一定角度以使晶片的图案形成面有选择地转向上或转向下的翻转驱动器,提供适量显影液到容器中的显影液供应器,以及喷洒清洗液到晶片的图案形成面上的清洗液供应器。

    烷氧基N-羟基烷基链酰胺作为抗蚀剂脱除剂的用途

    公开(公告)号:CN1249530C

    公开(公告)日:2006-04-05

    申请号:CN99111965.7

    申请日:1999-08-05

    CPC classification number: G03F7/425

    Abstract: 本发明公开了一种抗蚀剂脱除剂和一种脱除抗蚀剂的组合物,其具有优异的抗蚀剂和聚合物脱除性能,其不会对底层产生侵蚀,本发明还公开了所述抗蚀剂脱除剂和脱除抗蚀剂的组合物的制备方法和采用所述抗蚀剂脱除剂和脱除抗蚀剂的组合物脱除抗蚀剂的方法。所述抗蚀剂脱除剂包含烷氧基N-羟基烷基链酰胺。所述抗蚀剂脱除组合物,包含烷氧基N-羟基烷基链烷酰胺和至少一种偶极矩为3或大于3的极性材料和一种侵蚀抑制剂以及一种链烷醇胺。在其上具有抗蚀剂的基质与所述的抗蚀剂脱除剂或抗蚀剂脱除组合物可脱除抗蚀剂。

    脱除抗蚀剂的方法和设备

    公开(公告)号:CN1244029A

    公开(公告)日:2000-02-09

    申请号:CN98123847.5

    申请日:1998-11-05

    CPC classification number: G03F7/425

    Abstract: 一种抗蚀剂脱除方法和使用这种方法的抗蚀剂脱除设备。抗蚀剂脱除方法包括提供一种基材以及在该基材上形成抗蚀剂。然后将基材与含有N链烷醇烷氧基烷酰胺的抗蚀剂脱除剂接触,以便从基材上脱除抗蚀剂。另一方面,将基材与含有N链烷醇烷氧基烷酰胺和浸蚀抑制剂或者链烷醇胺和烷基烷氧基链烷酸酯的抗蚀剂脱除组合物接触。因为可用简单的方法在短时间内脱除抗蚀剂,以及因为可减小抗蚀剂脱除设备的尺寸,所以可提高半导体元件制造设备的生产率。

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