图像传感器及制造其的方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115763503A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211067322.9

    申请日:2022-09-01

    Abstract: 一种图像传感器包括:包括多个像素区的半导体基板;在半导体基板上的抗反射层;提供在抗反射层上和像素区中的滤色器;以及设置在滤色器中的相邻滤色器之间的栅栏结构,其中栅栏结构包括:穿透抗反射层的下部;在抗反射层上的上部;以及在下部与上部之间的中间部,其中栅栏结构具有底切区,该底切区提供在中间部的两侧并且在栅栏结构的上部与抗反射层的顶表面之间。

    图像传感器
    10.
    发明公开
    图像传感器 审中-公开

    公开(公告)号:CN117790520A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311238056.6

    申请日:2023-09-22

    Abstract: 提供了一种图像传感器,其包括传感器基板、在传感器基板上的间隔物层、以及在间隔物层上并配置为基于光的波长分离光的颜色分离透镜阵列,其中颜色分离透镜阵列包括:第一透镜层,包括多个第一纳米柱和在所述多个第一纳米柱周围的第一周边材料层;化学机械抛光(CMP)停止层,在第一周边材料层上;蚀刻停止层,在CMP停止层的上表面上并直接在所述多个第一纳米柱中的每个第一纳米柱的上表面上;以及在蚀刻停止层上的第二透镜层,第二透镜层包括多个第二纳米柱和在所述多个第二纳米柱周围的第二周边材料层。

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