公开(公告)号：CN110391134B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN201910289837.5

申请日：2019-04-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 徐恩哲 ,  朴劲必 ,  朴斗焕 ,  朴成浩 ,  朴爱咏 ,  郑景民

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L27/02 ,  H01L21/768

摘要： 一种制造半导体器件的方法可以包括：在衬底上形成硬掩模层；使用第一光刻工艺在所述硬掩模层上形成第一模制图案；在所述第一模制图案上和在所述硬掩模层的由所述第一模制图案暴露的部分上共形地形成间隔物层；使用第二光刻工艺形成第一模制层。第一模制层可以具有暴露所述间隔物层的一部分的第一开口。所述方法可以包括：通过各向异性地蚀刻所述间隔物层的由所述第一开口暴露的所述部分来形成间隔物图案，直到暴露所述硬掩模层的顶表面的一部分；以及使用所述间隔物图案作为蚀刻掩模来图案化所述硬掩模层。

公开(公告)号：CN110391134A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910289837.5

申请日：2019-04-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 徐恩哲 ,  朴劲必 ,  朴斗焕 ,  朴成浩 ,  朴爱咏 ,  郑景民

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L27/02 ,  H01L21/768

摘要： 一种制造半导体器件的方法可以包括：在衬底上形成硬掩模层；使用第一光刻工艺在所述硬掩模层上形成第一模制图案；在所述第一模制图案上和在所述硬掩模层的由所述第一模制图案暴露的部分上共形地形成间隔物层；使用第二光刻工艺形成第一模制层。第一模制层可以具有暴露所述间隔物层的一部分的第一开口。所述方法可以包括：通过各向异性地蚀刻所述间隔物层的由所述第一开口暴露的所述部分来形成间隔物图案，直到暴露所述硬掩模层的顶表面的一部分；以及使用所述间隔物图案作为蚀刻掩模来图案化所述硬掩模层。