公开(公告)号：CN114613756A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202111051857.2

申请日：2021-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李姃炫 ,  金知晃 ,  沈钟辅

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/50 ,  H01L23/31

Abstract: 提供了一种具有堆叠封装(PoP)结构的半导体器件和一种制造该半导体器件的方法，其中，实现了封装基板之间的精细节距，减小了封装件的总高度，并且提高了可靠性。该半导体器件包括：第一封装基板，包括第一主体层和第一钝化层；第一半导体芯片，位于第一封装基板上；第二封装基板，位于第一封装基板上，第二封装基板包括第二主体层和第二钝化层；第一连接构件，在第一半导体芯片的外部位于第一封装基板上；以及间隙填充物，填充在第一封装基板与第二封装基板之间，其中，第一封装基板包括第一沟槽，第二封装基板包括第二沟槽，并且第一半导体芯片设置在第一沟槽与第二沟槽之间。

公开(公告)号：CN115295522A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210400948.0

申请日：2022-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李姃炫 ,  金东旭 ,  朴桓必 ,  沈钟辅

IPC: H01L23/498

Abstract: 一种半导体封装，包括：第一衬底；所述第一衬底上的第一半导体器件；第一模塑层，覆盖所述第一半导体器件；所述第一模塑层上的第二衬底；支撑焊球，介于所述第一衬底与所述第二衬底之间，并且与所述第一衬底或所述第二衬底电学断开，其中，所述支撑焊球包括核并靠近所述第一半导体器件的第一侧壁设置；以及衬底连接焊球，被设置在所述第一半导体器件的所述第一侧壁与所述支撑焊球之间，以将所述第一衬底电连接到所述第二衬底，其中，所述第一半导体器件的顶表面具有距离所述第一衬底的顶表面的第一高度，并且所述核具有等于或大于所述第一高度的第二高度。

公开(公告)号：CN101986210B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201010510554.8

申请日：2010-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 方* ,  金宰焕 ,  洪溱模 ,  朴洙范 ,  李姃炫 ,  赵美林

IPC: G03G9/097 ,  G03G9/08

CPC classification number: G03G9/0821 ,  G03G9/0804 ,  G03G9/0819 ,  G03G9/0827 ,  G03G9/08755 ,  G03G9/08782 ,  G03G9/08797

Abstract: 本公开内容提供电子照相调色剂及其制备方法。具体而言，本公开内容提供包括胶乳、着色剂和脱模剂的电子照相调色剂。该电子照相调色剂可进一步包括锌(Zn)、铁(Fe)和硅(Si)。[Zn]/[Fe]比可为约5.0×10-2到约2.0。[Si]/[Fe]比可为约5.0×10-4到约5.0×10-2。[Zn]、[Fe]和[Si]分别表示通过X射线荧光光谱法测量的Zn、Fe和Si的强度。

公开(公告)号：CN101986210A

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN201010510554.8

申请日：2010-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 方* ,  金宰焕 ,  洪溱模 ,  朴洙范 ,  李姃炫 ,  赵美林

IPC: G03G9/097 ,  G03G9/08

CPC classification number: G03G9/0821 ,  G03G9/0804 ,  G03G9/0819 ,  G03G9/0827 ,  G03G9/08755 ,  G03G9/08782 ,  G03G9/08797

Abstract: 本公开内容提供电子照相调色剂及其制备方法。具体而言，本公开内容提供包括胶乳、着色剂和脱模剂的电子照相调色剂。该电子照相调色剂可进一步包括锌(Zn)、铁(Fe)和硅(Si)。[Zn]/[Fe]比可为约5.0×10-2到约2.0。[Si]/[Fe]比可为约5.0×10-4到约5.0×10-2。[Zn]、[Fe]和[Si]分别表示通过X射线荧光光谱法测量的Zn、Fe和Si的强度。