公开(公告)号：CN112349716B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202010267941.7

申请日：2020-04-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李相吉 ,  赵南奎 ,  金锡勳 ,  文康薰 ,  刘贤琯 ,  李時炯

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

摘要： 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一有源图案，在基底的有源区域上在第一方向上延伸；第一源极/漏极图案，位于第一有源图案的上部上的凹部中；栅电极，横跨第一有源图案的上部上的第一沟道图案延伸并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及有源接触件，电连接到第一源极/漏极图案。

公开(公告)号：CN112349716A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010267941.7

申请日：2020-04-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李相吉 ,  赵南奎 ,  金锡勳 ,  文康薰 ,  刘贤琯 ,  李時炯

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

摘要： 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一有源图案，在基底的有源区域上在第一方向上延伸；第一源极/漏极图案，位于第一有源图案的上部上的凹部中；栅电极，横跨第一有源图案的上部上的第一沟道图案延伸并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及有源接触件，电连接到第一源极/漏极图案。