公开(公告)号：CN103513749B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201310236615.X

申请日：2013-06-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 柳义烈

IPC分类号： G06F1/32

CPC分类号： G06F1/3228 ,  G06F1/3293 ,  G06F9/5094 ,  Y02D10/22

摘要： 本发明提供了一种多集群处理系统以及操作多集群处理系统的方法。所述多集群处理系统包括：包括多个第一类型核的第一集群；包括多个第二类型核的第二集群；以及配置成监测所述第一类型核和所述第二类型核的负载的控制单元，其中当已启用的第一类型核中的至少一个的利用率超出每一个所述第一类型核的预定阈值利用率时，在第一模式中所述控制单元启用被禁用的第一类型核中的至少一个，并且在第二模式中所述控制单元启用被禁用的第二类型核中的至少一个并且禁用第一集群，其中每一个所述第二类型核的单位时间计算量大于每一个所述第一类型核的单位时间计算量。

公开(公告)号：CN103513749A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310236615.X

申请日：2013-06-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 柳义烈

IPC分类号： G06F1/32

CPC分类号： G06F1/3228 ,  G06F1/3293 ,  G06F9/5094 ,  Y02D10/22

摘要： 本发明提供了一种多集群处理系统以及操作多集群处理系统的方法。所述多集群处理系统包括：包括多个第一类型核的第一集群；包括多个第二类型核的第二集群；以及配置成监测所述第一类型核和所述第二类型核的负载的控制单元，其中当已启用的第一类型核中的至少一个的利用率超出每一个所述第一类型核的预定阈值利用率时，在第一模式中所述控制单元启用被禁用的第一类型核中的至少一个，并且在第二模式中所述控制单元启用被禁用的第二类型核中的至少一个并且禁用第一集群，其中每一个所述第二类型核的单位时间计算量大于每一个所述第一类型核的单位时间计算量。

公开(公告)号：CN1574341A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410055216.4

申请日：2004-06-03

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴翔煜 ,  侑在珉 ,  权喆纯 ,  金镇宇 ,  朴在铉 ,  金龙希 ,  李燉雨 ,  金大根 ,  金周灿 ,  金国珉 ,  柳义烈

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种具有增强测量可靠性的测量图案的半导体器件以及利用该测量图案测量半导体器件的方法。该半导体器件包括具有其中形成有集成电路的芯片区和围绕芯片区的划线区的半导体衬底。该半导体器件还包含：形成于划线区中的测量图案，其具有表面截面区以包含在其中投射测量光束的光束区；和形成于测量图案中以缩减测量图案的表面截面区的虚设图案。虚设图案的表面截面区占光束区的表面截面区的近似5％至近似15％。

公开(公告)号：CN100416821C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200410055216.4

申请日：2004-06-03

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴翔煜 ,  侑在珉 ,  权喆纯 ,  金镇宇 ,  朴在铉 ,  金龙希 ,  李燉雨 ,  金大根 ,  金周灿 ,  金国珉 ,  柳义烈

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种具有增强测量可靠性的测量图案的半导体器件以及利用该测量图案测量半导体器件的方法。该半导体器件包括具有其中形成有集成电路的芯片区和围绕芯片区的划线区的半导体衬底。该半导体器件还包含：形成于划线区中的测量图案，其具有表面截面区以包含在其中投射测量光束的光束区；和形成于测量图案中以缩减测量图案的表面截面区的虚设图案。虚设图案的表面截面区占光束区的表面截面区的近似5%至近似15%。