公开(公告)号：CN110619922B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN201910444511.5

申请日：2019-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑椙旭 ,  明相勋 ,  朴民哲 ,  高汀勋 ,  柳志殊 ,  张铉在 ,  金亨泰 ,  李云荣 ,  田旼哲

IPC: G11C29/56 ,  G11C29/54 ,  G06F30/27 ,  G11C13/00 ,  G06F18/241

Abstract: 提供了一种半导体故障分析装置及其故障分析方法。所述故障分析方法包括：接收所测量到的对应于半导体器件的测量数据；基于所述测量数据和参考数据生成双采样数据；对所述双采样数据执行故障分析操作；基于所述故障分析操作的结果对所述半导体器件的故障类型进行分类；以及输出关于所述故障类型的信息。

公开(公告)号：CN110619922A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201910444511.5

申请日：2019-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑椙旭 ,  明相勋 ,  朴民哲 ,  高汀勋 ,  柳志殊 ,  张铉在 ,  金亨泰 ,  李云荣 ,  田旼哲

IPC: G11C29/56 ,  G11C29/54 ,  G06F17/50 ,  G11C13/00

Abstract: 提供了一种半导体故障分析装置及其故障分析方法。所述故障分析方法包括：接收所测量到的对应于半导体器件的测量数据；基于所述测量数据和参考数据生成双采样数据；对所述双采样数据执行故障分析操作；基于所述故障分析操作的结果对所述半导体器件的故障类型进行分类；以及输出关于所述故障类型的信息。