公开(公告)号：CN108695395A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810319491.4

申请日：2018-04-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴瑞仁 ,  金容顿 ,  禹先珠 ,  曹大铉

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L27/08

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/66143 ,  H02M7/06 ,  H01L29/0684

摘要： 一种肖特基二极管包括：第一导电类型的导电层；设置在导电层中的第二导电类型的阱区；设置在导电层中的第一隔离区，其中第一隔离区与阱区间隔开；设置在导电层中的第二导电类型的第一结区，其中第一结区与第一隔离区相邻并与阱区间隔开；设置在导电层中的第一导电类型的第二结区，其中第二结区与第一隔离区相邻；以及肖特基电极，其覆盖对应于阱区与第一结区之间的导电层的上表面的肖特基结表面。