公开(公告)号：CN104662670B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201380049979.5

申请日：2013-09-20

申请人： PST传感器(私人)有限公司

发明人： 大卫·托马斯·布里顿 ,  马尔吉特·黑廷 ,  斯坦利·道格拉斯·沃顿

IPC分类号： H01L29/96

CPC分类号： H01L29/705 ,  H01C7/1013 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/72 ,  H01L49/02 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0504

摘要： 公开了一种电子装置及其制造方法。该装置包括半导体材料本体和限定了至少三个导电触点以形成相应端子的导电材料。所述半导体材料与所述导电触点至少部分地重叠以限定该装置，使得所述装置在任意一对端子之间的电特性与变阻器的电特性相对应。所述半导体材料本体是以印刷或涂覆而沉积的层。所述每对端子之间的变阻器特性能够按以下方式在一个端子与任意两个另外的端子之间切换电流：当存在正电流流入第一端子时，可忽略不计的电流流过施加有正电位的第二端子，并且正电流从相对于第二端子保持负电位的第三端子流出。当存在负电流流出第一端子时，正电流流入第二端子并且可忽略不计的电流流过第三端子。

公开(公告)号：CN109427893A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201711204388.7

申请日：2017-11-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 罗文勋 ,  黄景贤 ,  张聿骐

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L23/13 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/78 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66477

摘要： 提供具有低闪烁噪声的导体-绝缘体-半导体(CIS)装置。在一些实施例中，此CIS装置包含半导体基底、一对源极/漏极区、选择性导电通道以及栅极电极。这对源极/漏极区位于半导体基底中，且这对源极/漏极区横向地隔开。选择性导电通道位于半导体基底中，且自源极/漏极区的一者至源极/漏极区的另一者在第一方向上横向地延伸。栅极电极包含一对外围部分和中央部分。外围部分在平行于第一方向上横向地延伸。中央部分覆盖选择性导电通道且自这对外围部分的一者至这对外围部分的另一者在第二方向上横向地延伸，第二方向横切第一方向。此外，也提供CIS装置的制造方法。

公开(公告)号：CN109390404A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810419653.1

申请日：2018-05-04

申请人： 美格纳半导体有限公司

发明人： 张在亨 ,  孙振荣 ,  池熺奂

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7835 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/0927 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/66492

摘要： 提供了一种具有低漏源导通电阻的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括：基板；布置在基板中的第一P型阱区和第二P型阱区，其中第一P型阱区和第二P型阱区彼此间隔开；布置在基板中的N型源极区，其中N型源极区布置成与第二P型阱区间隔开；布置在第二P型阱区中的N型漏极区；布置在N型漏极区附近的N型LDD区；以及基板上的栅绝缘层和栅电极，其中栅电极与第二P型阱区部分地交叠。

公开(公告)号：CN105789332B

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201610263857.1

申请日：2016-04-25

申请人： 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

发明人： 姚飞 ,  王世军 ,  殷登平

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0248 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/866 ,  H01L29/872 ,  H02H9/046

摘要： 本发明公开了一种整流器件、整流器件的制造方法及ESD保护器件。所述整流器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底的掺杂类型为P型；位于半导体衬底上的外延半导体层，所述外延半导体层的掺杂类型为N型；以及位于外延半导体层中的第一掺杂区，所述第一掺杂区为N型，其中，所述半导体衬底和所述外延半导体层分别作为所述整流器件的阳极和阴极，并且所述整流器件还包括在所述阴极中形成反向PN结或反向肖特基势垒。本发明在整流器件的阴极中形成反向偏置的PN结或反向肖特基势垒以减小二极管在高电压下的寄生电容，进而提高ESD保护器件在高电压下的响应速度。

公开(公告)号：CN108695395A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810319491.4

申请日：2018-04-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴瑞仁 ,  金容顿 ,  禹先珠 ,  曹大铉

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L27/08

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/66143 ,  H02M7/06 ,  H01L29/0684

摘要： 一种肖特基二极管包括：第一导电类型的导电层；设置在导电层中的第二导电类型的阱区；设置在导电层中的第一隔离区，其中第一隔离区与阱区间隔开；设置在导电层中的第二导电类型的第一结区，其中第一结区与第一隔离区相邻并与阱区间隔开；设置在导电层中的第一导电类型的第二结区，其中第二结区与第一隔离区相邻；以及肖特基电极，其覆盖对应于阱区与第一结区之间的导电层的上表面的肖特基结表面。

公开(公告)号：CN108461447A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201711443872.5

申请日：2013-05-29

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 铃木和贵 ,  是成贵弘

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/02 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01M10/425 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823487 ,  H01L23/3114 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体器件和半导体器件的制造方法。半导体器件包括具有背表面和在平面图中为矩形的前表面的半导体衬底；第一MOSFET，具有第一栅电极、第一源极区和第一漏极区；第二MOSFET，具有第二栅电极、第二源极区和第二漏极区；前表面上方的耦合到第一源极区的第一源电极；前表面上方的耦合到第二源极区的第二源电极；前表面上方的耦合到第一栅电极的第一栅极线；前表面上方的耦合到第二栅电极的第二栅极线；背表面上方的耦合到第一漏极区和第二漏极区的公共漏电极，第一源电极在前表面的第一边、第二边、第三边和第四边处，平面图中，第二源电极被第一源电极围绕，第一源电极与第一MOSFET重叠，第二源电极与第二MOSFET重叠。

公开(公告)号：CN108376701A

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201711444099.4

申请日：2017-12-27

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 阿形泰典

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/1095 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7304 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7823 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/405

摘要： 本发明期望调整电位梯度的变化，以便不会因电阻膜的电场而在位于电阻膜下的半导体基板产生雪崩。本发明提供半导体装置，该半导体装置具备半导体基板，半导体基板具有：边缘终端部，其包含外缘区域，所述外缘区域在半导体基板的表面的端部设置于预定的深度范围且是杂质区域；以及有源部，其包含阱区，所述阱区在半导体基板的表面的比外缘区域靠内侧的位置设置于预定的深度范围且是导电型与半导体基板的漂移区的导电型不同的杂质区域，半导体装置还具备：绝缘膜，其在半导体基板的表面上，至少设置于外缘区域与阱区之间，且具有锥形部；以及电阻膜，其设置于绝缘膜上，将外缘区域与阱区电连接，绝缘膜的锥形部的锥角为60度以下。

公开(公告)号：CN108365000A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810310958.9

申请日：2014-03-04

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 中野佑纪 ,  中村亮太

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

摘要： 本发明的半导体装置包含：第1导电型的半导体层，具有单元部及配置在所述单元部的周围的外周部；以及表面绝缘膜，以横跨所述单元部及所述外周部的方式配置，形成为在所述单元部比在所述外周部的部分薄。

公开(公告)号：CN104835839B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201510074493.8

申请日：2015-02-12

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： T.古特 ,  V.科马尼茨基 ,  D.韦伯

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0804 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/743 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/401 ,  H01L29/407 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/8613

摘要： 半导体器件，制造其的方法及发射极与杂质区电连接的IGBT。一种半导体器件包括半导体主体，该半导体主体包括：第一导电类型的漂移区；第二互补导电类型的发射极区，被配置为把电荷载流子注入到漂移区中；以及发射极电极。发射极电极包括与发射极区直接欧姆接触的金属硅化物层。发射极区的直接邻接金属硅化物层的部分中的净杂质浓度是最多1 x 1017 cm‑3。

公开(公告)号：CN108124494A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201680009069.8

申请日：2016-09-30

申请人： 新电元工业株式会社

发明人： 小谷凉平 ,  松原寿树 ,  石塚信隆 ,  三川雅人 ,  押野浩

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/329 ,  H01L21/822 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/866

CPC分类号： H01L29/861 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7808

摘要： 【课题】提供一种能够抑制过电压保护二极管的耐压变动的半导体装置。【解决手段】实施方式涉及的半导体装置1包括：绝缘膜4，被形成在耐压区域B上；过电压保护二极管5，具有被交替地相邻配置在所述第一绝缘膜上的N型半导体层5a与P型半导体层5b；导体部6、7、8、9，被形成在绝缘膜4上，并且与过电压保护二极管5电气连接；绝缘膜15，覆盖过电压保护二极管5以及导体部6、7、8、9；以及高电位部17，经由绝缘膜15被配置在过电压保护二极管5的上方，其中，P型半导体层5b的P型掺杂物浓度比N型半导体层5a的N型掺杂物浓度更低，高电位部17被构成为：在反向偏置施加状态下，具有比位于高电位部17正下方的P型半导体层5b的电位更高的电位。