公开(公告)号：CN100444331C

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200410057451.5

申请日：2004-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李祯浩 ,  赵俊贤 ,  崔晶植 ,  李东峻

IPC: H01L21/312 ,  C23C18/12 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C18/122 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1245

Abstract: 公开了一种旋涂玻璃(SOG)组合物和利用SOG组合物形成氧化硅层的方法。该方法包括在具有表面不连续的半导体衬底上涂敷SOG组合物，SOG组合物包含具有化合物化学式-(SiH2NH)n-的聚硅氮烷，其中n表示正整数，重均分子量在约3,300至3,700的范围内，以形成平坦的SOG层。通过固化SOG层，将SOG层变为具有平坦表面的氧化硅层。还公开了通过该方法制造的半导体器件。

公开(公告)号：CN1617310A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410057451.5

申请日：2004-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李祯浩 ,  赵俊贤 ,  崔晶植 ,  李东峻

IPC: H01L21/312 ,  C23C18/12 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C18/122 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1245

Abstract: 公开了一种旋涂玻璃(SOG)组合物和利用SOG组合物形成氧化硅层的方法。该方法包括在具有表面不连续的半导体衬底上涂敷SOG组合物，SOG组合物包含具有化合物化学式－(SiH2NH)n－的聚硅氮烷，其中n表示正整数，重均分子量在约3,300至3,700的范围内，以形成平坦的SOG层。通过固化SOG层，将SOG层变为具有平坦表面的氧化硅层。还公开了通过该方法制造的半导体器件。