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公开(公告)号：CN1533420A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN02814368.X
申请日：2002-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09G1/16 , C08L101/00
CPC classification number: H01L21/31053 , C08L101/02 , C09G1/02
Abstract: 一种用于淤浆的添加剂组合物，包括含具有第一重均分子量的第一聚合酸和第一碱性材料的第一聚合酸盐；和含具有第二重均分子量的第二聚合酸和第二碱性材料的第二聚合酸盐。通过混合添加剂组合物、抛光粒子组合物和水制备淤浆组合物。当使用该淤浆组合物进行化学机械抛光时，可实现有利的抛光选择性。
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公开(公告)号：CN103048876A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210383423.7
申请日：2012-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/56 , G03F7/20 , H01L21/033
CPC classification number: H01L21/32139 , G03F7/0392 , G03F7/095 , G03F7/2022 , G03F7/203 , H01L21/0274
Abstract: 本发明涉及一种形成半导体器件的图案的方法，该方法包括：形成包括光致产酸剂和光致产碱剂的光致抗蚀剂层；通过对所述光致抗蚀剂层进行第一曝光从所述光致抗蚀剂层的第一曝光部分中的光致产酸剂产生酸；以及通过对所述第一曝光部分的一部分进行第二曝光从所述光致抗蚀剂层的第二曝光部分中的光致产碱剂产生碱，并且中和酸。该方法还包括：在所述第一曝光和第二曝光之后烘烤所述光致抗蚀剂层，并且脱封其中产生了酸的所述第一曝光部分的光致抗蚀剂层，以形成脱封的光致抗蚀剂层；以及通过使用显影剂除去所述脱封的光致抗蚀剂层来形成光致抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN1766027A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510092009.0
申请日：2005-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , C01F17/0043 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2004/52 , C01P2004/64 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 提供用于制造改进的氧化铈研磨剂的方法，该氧化铈研磨剂适合于形成用于CMP工艺的浆料组合物。在更大的次级研磨颗粒中引入的主要氧化铈颗粒的条件下，通过铈前体化合物和杂质金属化合物的混合物的热处理制造氧化铈研磨剂。杂质金属和/或次级研磨颗粒内不完全氧化的铈的存在易于减小其机械强度，由此利用这种研磨剂减小CMP工艺过程中损坏衬底表面的可能性。
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公开(公告)号：CN100444331C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200410057451.5
申请日：2004-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/312 , C23C18/12 , H01L21/316 , H01L21/768
CPC classification number: C23C18/122 , C23C18/1208 , C23C18/1245
Abstract: 公开了一种旋涂玻璃(SOG)组合物和利用SOG组合物形成氧化硅层的方法。该方法包括在具有表面不连续的半导体衬底上涂敷SOG组合物，SOG组合物包含具有化合物化学式-(SiH2NH)n-的聚硅氮烷，其中n表示正整数，重均分子量在约3,300至3,700的范围内，以形成平坦的SOG层。通过固化SOG层，将SOG层变为具有平坦表面的氧化硅层。还公开了通过该方法制造的半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1737885A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510096619.8
申请日：2005-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G1/06 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/7684 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 一种包括酸性水溶液，以及两性表面活性剂和乙二醇化合物的一种或两种的浆料组合物。两性表面活性剂的例子包括甜菜碱化合物和氨基酸化合物，以及氨基酸化合物的例子包括赖氨酸、脯氨酸和精氨酸。乙二醇化合物的例子包括二甘醇、乙二醇以及聚乙二醇。
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公开(公告)号：CN1203535C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN00134841.8
申请日：2000-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , C08G77/62
Abstract: 公开了一种旋涂玻璃组合物(SOG)及利用该SOG组合物形成氧化硅层的方法。该方法包括在表面不连续的半导体基片上涂布一种含有通式为-(SiH2NH)n-的全氢化聚硅氮烷的SOG组合物，通式中n表示一个正整数，其重均分子量在约4，000-8，000范围，分子量分布在约3.0-4.0的范围，以形成一种平面的SOG层。通过SOG层的硬化，将该SOG层转化为具有平表面的氧化硅层。也公开了由该方法制成的一种半导体器件。
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公开(公告)号：CN1311009C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN02814368.X
申请日：2002-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08J5/14 , C08L101/00 , C09G1/16
CPC classification number: H01L21/31053 , C08L101/02 , C09G1/02
Abstract: 一种用于淤浆的添加剂组合物，包括含具有第一重均分子量的第一聚合酸和第一碱性材料的第一聚合酸盐；和含具有第二重均分子量的第二聚合酸和第二碱性材料的第二聚合酸盐。通过混合添加剂组合物、抛光粒子组合物和水制备淤浆组合物。当使用该淤浆组合物进行化学机械抛光时，可实现有利的抛光选择性。
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公开(公告)号：CN1617310A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410057451.5
申请日：2004-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/312 , C23C18/12 , H01L21/316 , H01L21/768
CPC classification number: C23C18/122 , C23C18/1208 , C23C18/1245
Abstract: 公开了一种旋涂玻璃(SOG)组合物和利用SOG组合物形成氧化硅层的方法。该方法包括在具有表面不连续的半导体衬底上涂敷SOG组合物，SOG组合物包含具有化合物化学式－(SiH2NH)n－的聚硅氮烷，其中n表示正整数，重均分子量在约3,300至3,700的范围内，以形成平坦的SOG层。通过固化SOG层，将SOG层变为具有平坦表面的氧化硅层。还公开了通过该方法制造的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1322009A
公开(公告)日：2001-11-14
申请号：CN00134841.8
申请日：2000-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , C08G77/62
Abstract: 公开了一种旋涂玻璃组合物(SOG)及利用该SOG组合物形成氧化硅层的方法。该方法包括在表面不连续的半导体基片上涂布一种含有通式为－(SiH2NH)n－的全氢化聚硅氮烷的SOG组合物,通式中n表示一个正整,其重均分子量在约4,000－8,000范围,分子量分布在约3.0－4.0的范围,以形成一种平面的SOG层。通过SOG层的硬化,将该SOG层转化为具有平表面的氧化硅层。也公开了由该方法制成的一种半导体器件。
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