公开(公告)号：CN118352353A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410030296.5

申请日：2024-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸恩 ,  崔银希 ,  金起范 ,  金宣暻 ,  金夏永 ,  卢贤定 ,  裵武奎

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/092 ,  G06F30/327 ,  G06F30/392 ,  G06F30/394

Abstract: 一种集成电路包括：第一区域，所述第一区域具有布置在沿第一方向延伸的第一行中的多个第一单元和在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的多个第一栅电极；第二区域，所述第二区域具有布置在沿所述第一方向延伸的第二行中的多个第二单元和在所述第二方向上延伸的多个第二栅电极；以及第三区域，所述第三区域位于所述第一区域与所述第二区域之间并且具有在所述第二方向上延伸的多个第三栅电极。每个所述第二行的第二高度大于每个所述第一行的第一高度。所述第一栅电极的节距、所述第二栅电极的节距和所述第三栅电极的节距是相同的。

公开(公告)号：CN112466870B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202010644974.9

申请日：2020-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珍泰 ,  姜秉坤 ,  金昌汎 ,  金夏永 ,  赵庸恩

IPC: H10D89/10 ,  H10B80/00 ,  H03K19/0944 ,  H03K19/0948 ,  H03K19/096

Abstract: 一种半导体器件包括触发器单元。该触发器单元形成在半导体衬底上，包括触发器电路，并且包括扫描多路复用器电路、主锁存器电路、从锁存器电路、时钟驱动器电路和输出电路。扫描多路复用器电路、主锁存器电路、从锁存器电路、时钟驱动器电路和输出电路中的每个包括基于输入一起输出该电路的结果信号的多个有源器件，是触发器电路的子电路，并且当从平面图观看时占据触发器电路的连续边界区域。当从平面图观看时，所述子电路中的至少第一子电路和第二子电路在第一重叠区域中重叠，第一重叠区域包括用于第一子电路的第一连续边界区域的部分和用于第二子电路的第二连续边界区域的部分。

公开(公告)号：CN118231370A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311668148.8

申请日：2023-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸恩 ,  金起范 ,  金宣暻 ,  金夏永 ,  卢贤定

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/60 ,  H01L23/538 ,  H01L25/18 ,  H01L25/16 ,  H10B80/00

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：基底，包括禁用区域(KOZ)和布局整理单元区域；贯穿硅过孔(TSV)，穿透基底并被KOZ围绕；ESD二极管，位于基底的上表面上；驱动器电路；栅极结构；以及金属布线，将TSV、ESD二极管和驱动器电路电连接。布局整理单元区域可以围绕KOZ和ESD二极管。驱动器电路可以与布局整理单元区域相邻并位于布局整理单元区域外部。基底可以包括有源区域，有源区域从位于布局整理单元区域内部的端部延伸。栅极结构可以与有源区域交叉以形成半导体组件。驱动器电路可以包括半导体组件中的至少一些半导体组件。

公开(公告)号：CN112086450A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010528595.3

申请日：2020-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在夏 ,  金夏永 ,  李奉炫 ,  李昭荣 ,  赵庸恩

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/528 ,  G06F30/3947

Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：在衬底上的逻辑单元，逻辑单元包括在第一方向上间隔开的第一有源区域和第二有源区域；在第一和第二有源区域上并在第二方向上延伸的第一和第二有源图案；在第一和第二有源图案上的第一和第二源极/漏极图案；栅电极，在第一方向上延伸以跨越第一和第二有源图案，并在第二方向上以第一节距排列；第一配线，在栅电极上的第一层间电介质层中并且每个电连接到第一源极/漏极图案、第二源极/漏极图案或栅电极；以及第二配线，在第一层间电介质层上的第二层间电介质层中，并在第一方向上彼此平行地延伸。

公开(公告)号：CN112086450B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202010528595.3

申请日：2020-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在夏 ,  金夏永 ,  李奉炫 ,  李昭荣 ,  赵庸恩

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/528 ,  G06F30/3947

Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：在衬底上的逻辑单元，逻辑单元包括在第一方向上间隔开的第一有源区域和第二有源区域；在第一和第二有源区域上并在第二方向上延伸的第一和第二有源图案；在第一和第二有源图案上的第一和第二源极/漏极图案；栅电极，在第一方向上延伸以跨越第一和第二有源图案，并在第二方向上以第一节距排列；第一配线，在栅电极上的第一层间电介质层中并且每个电连接到第一源极/漏极图案、第二源极/漏极图案或栅电极；以及第二配线，在第一层间电介质层上的第二层间电介质层中，并在第一方向上彼此平行地延伸。

公开(公告)号：CN118231399A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311661809.4

申请日：2023-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸恩 ,  卢贤定 ,  金起范 ,  金宣暻 ,  金夏永

IPC: H01L27/02 ,  G06F13/40 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括：第一I/O接口单元区域，其具有设置在其中的多个第一静电放电(ESD)二极管、第一驱动器和第一硅通孔(TSV)，并且具有用于电连接多个第一ESD二极管、第一驱动器和第一TSV的第一布线图案和第一过孔图案；以及第二I/O接口单元区域，其具有设置在其中的多个第二ESD二极管、第二驱动器和第二TSV并且具有用于电连接第二驱动器、第二TSV和多个第二ESD二极管的子集的第二布线图案和第二过孔图案，其中，除了该子集之外的第二ESD二极管与第二驱动器和第二TSV分离。

公开(公告)号：CN112466870A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202010644974.9

申请日：2020-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珍泰 ,  姜秉坤 ,  金昌汎 ,  金夏永 ,  赵庸恩

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/118 ,  H03K19/0944 ,  H03K19/0948 ,  H03K19/096

Abstract: 一种半导体器件包括触发器单元。该触发器单元形成在半导体衬底上，包括触发器电路，并且包括扫描多路复用器电路、主锁存器电路、从锁存器电路、时钟驱动器电路和输出电路。扫描多路复用器电路、主锁存器电路、从锁存器电路、时钟驱动器电路和输出电路中的每个包括基于输入一起输出该电路的结果信号的多个有源器件，是触发器电路的子电路，并且当从平面图观看时占据触发器电路的连续边界区域。当从平面图观看时，所述子电路中的至少第一子电路和第二子电路在第一重叠区域中重叠，第一重叠区域包括用于第一子电路的第一连续边界区域的部分和用于第二子电路的第二连续边界区域的部分。