公开(公告)号：CN110875305B

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN201910783932.0

申请日：2019-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申宪宗 ,  郑圣宪 ,  郭玟灿 ,  郑涌植 ,  池祥源 ,  刘素罗 ,  李斗铉

IPC: H10D89/10 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件可包括：衬底，包括在第一方向上延伸的有源图案；栅电极，横跨有源图案并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；源极/漏极图案，在有源图案上并与栅电极的一侧相邻；有源接触件，在暴露源极/漏极图案的接触孔中；绝缘图案，填充设置有有源接触件的接触孔的剩余空间；第一通孔，在有源接触件上；以及第二通孔，在栅电极上。有源接触件可包括填充接触孔的下部的第一段以及从第一段垂直地突出的第二段。第一通孔连接到第二段。绝缘图案在第一方向上与第二通孔相邻。

公开(公告)号：CN112420697A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010715381.7

申请日：2020-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  申宪宗 ,  郭玟灿 ,  朴贤镐 ,  郑圣宪 ,  郑涌植 ,  池祥源 ,  黄寅灿

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/45

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一有源区和第二有源区；第一源极/漏极图案，在第一有源区上；第二源极/漏极图案，在第二有源区上；分隔电介质图案，在第一源极/漏极图案与第二源极/漏极图案之间的衬底上；以及第一接触图案，在第一源极/漏极图案上，其中第一接触图案包括：第一金属图案；第一阻挡图案，在第一金属图案与第一源极/漏极图案之间；以及第二阻挡图案，在第一阻挡图案与第一源极/漏极图案之间，其中第一阻挡图案接触分隔电介质图案并且沿着第一金属图案的与分隔电介质图案相邻的侧壁延伸。

公开(公告)号：CN1761101A

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN200510090253.3

申请日：2005-08-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圣宪

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q1/24 ,  H01Q13/08

CPC classification number: H01Q1/362 ,  H01Q1/243 ,  H01Q1/38 ,  H01Q21/30

Abstract: 公开了一种安装在终端主板上用于在不同频带工作的双频薄片天线模块。在该双频薄片天线模块中，第一和第二天线元件串联连接，形成于主板上的馈线将第一天线元件和RF连接器电连接，从第二天线元件延伸辐射图形。因此，串联结构的双频薄片天线模块的增益被提高为并联结构的双频薄片天线模块的增益的两倍多。

公开(公告)号：CN113948517A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110761662.0

申请日：2021-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圣宪 ,  申宪宗 ,  郭玟灿 ,  李城门 ,  黄精气

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8244

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一栅极结构，在第一方向上延伸并且包括第一栅电极和第一栅极覆盖图案；第二栅极结构，与所述第一栅极结构间隔开，在所述第一方向上延伸，并且包括第二栅电极和第二栅极覆盖图案；有源图案，在第二方向上延伸，所述有源图案位于所述第二栅极结构下方；外延图案，位于所述第二栅极结构的一侧并且位于所述有源图案上；栅极接触，连接到所述第一栅电极；以及节点接触，连接到所述第二栅电极并且连接到所述外延图案。所述栅极接触的上表面位于与所述第一栅极覆盖图案的上表面相同的水平高度处，所述节点接触的上表面低于所述第一栅极覆盖图案的所述上表面。

公开(公告)号：CN109801971B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201811345083.2

申请日：2018-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄寅灿 ,  申宪宗 ,  郑圣宪 ,  李斗铉 ,  全辉璨 ,  安学润

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：基板，包括第一有源图案，第一有源图案从基板的顶表面垂直地突出；第一源极/漏极图案，填充形成在第一有源图案的上部分中的第一凹陷；第一金属硅化物层，在第一源极/漏极图案上，第一金属硅化物层包括位于第一源极/漏极图案的第一表面上的第一部分和第二部分；以及第一接触，与第一金属硅化物层的第二部分接触。第一部分的厚度可以不同于第二部分的厚度。

公开(公告)号：CN112530861A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010915052.7

申请日：2020-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李城门 ,  郭玟灿 ,  申宪宗 ,  郑涌植 ,  卢永昌 ,  李斗铉 ,  郑圣宪 ,  池祥源

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L27/02

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成有源区；在所述衬底上形成与所述有源区相交的栅极结构；去除所述栅极结构的上部并形成栅极覆层；形成电连接到所述有源区的一部分的初步接触插塞，所述初步接触插塞包括第一部分和第二部分；形成包括第一图案层和第二图案层的掩模图案层，所述第一图案层覆盖所述栅极覆层的上表面，所述第二图案层从所述第一图案层延伸以覆盖所述初步接触插塞的所述第二部分；以及使用所述掩模图案层作为蚀刻掩模，通过使所述初步接触插塞的被所述掩模图案层暴露的所述第一部分从所述初步接触插塞的上表面凹陷到预定深度，来形成接触插塞。

公开(公告)号：CN109801971A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811345083.2

申请日：2018-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄寅灿 ,  申宪宗 ,  郑圣宪 ,  李斗铉 ,  全辉璨 ,  安学润

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：基板，包括第一有源图案，第一有源图案从基板的顶表面垂直地突出；第一源极/漏极图案，填充形成在第一有源图案的上部分中的第一凹陷；第一金属硅化物层，在第一源极/漏极图案上，第一金属硅化物层包括位于第一源极/漏极图案的第一表面上的第一部分和第二部分；以及第一接触，与第一金属硅化物层的第二部分接触。第一部分的厚度可以不同于第二部分的厚度。

公开(公告)号：CN110875305A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910783932.0

申请日：2019-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申宪宗 ,  郑圣宪 ,  郭玟灿 ,  郑涌植 ,  池祥源 ,  刘素罗 ,  李斗铉

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件可包括：衬底，包括在第一方向上延伸的有源图案；栅电极，横跨有源图案并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；源极/漏极图案，在有源图案上并与栅电极的一侧相邻；有源接触件，在暴露源极/漏极图案的接触孔中；绝缘图案，填充设置有有源接触件的接触孔的剩余空间；第一通孔，在有源接触件上；以及第二通孔，在栅电极上。有源接触件可包括填充接触孔的下部的第一段以及从第一段垂直地突出的第二段。第一通孔连接到第二段。绝缘图案在第一方向上与第二通孔相邻。