公开(公告)号：CN118738057A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202311566711.0

申请日：2023-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永权 ,  郑承根 ,  姜明吉 ,  金傔 ,  金洞院

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：基底；下图案，在基底上；沟道图案，在下图案上；源极/漏极图案，在沟道图案的两侧上；栅极结构，围绕沟道图案；接触电极，电连接到源极/漏极图案；蚀刻停止层，在栅极结构与接触电极之间；以及接触界面层，在源极/漏极图案上。接触界面层可以包括第一区域和第二区域，所述第一区域在源极/漏极图案与接触电极之间，并且所述第二区域在源极/漏极图案与蚀刻停止层之间。

公开(公告)号：CN116779678A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202211510498.7

申请日：2022-11-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  高丽大学校产学协力团

Inventor： 兪贤龙 ,  郑承根

IPC: H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括在基底上的有源图案、在有源图案上并且包括第一下半导体图案和第二下半导体图案的下沟道图案、在下沟道图案上并且包括第一上半导体图案和第二上半导体图案的上沟道图案、在下沟道图案的相对侧上的一对下源极/漏极图案和在上沟道图案的相对侧上的一对上源极/漏极图案以及围绕下沟道图案和上沟道图案的栅电极。栅电极可以包括在第一上半导体图案与第二上半导体图案之间的第一上部以及在第一下半导体图案与第二下半导体图案之间的第一下部。每个半导体图案可以包括在其顶表面上具有第一凹陷区域的第一凹陷部以及从第一凹陷部的底表面突出的第一突出部。