公开(公告)号：CN1728358A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510088138.2

申请日：2005-07-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 吴赫祥 ,  郑周赫 ,  金一球

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76807

摘要： 在一种制造双金属镶嵌互连的方法中，确保了可靠的沟槽轮廓。该方法包括：在衬底上形成下部互连部件，在下部互连部件上形成电介质层，在电介质层上形成硬掩模，通过使用硬掩模作为蚀刻掩模在电介质层中形成通孔，通过对硬掩模进行构图形成界定沟槽的沟槽硬掩模，形成和通孔相连接的沟槽，在其中使用沟槽硬掩模作为蚀刻掩模部分蚀刻电介质层形成上部互连线，并使用湿法蚀刻清除沟槽硬掩模，以及通过使用互连材料填充沟槽和通孔来形成上部互连线。

公开(公告)号：CN100539070C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510088138.2

申请日：2005-07-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 吴赫祥 ,  郑周赫 ,  金一球

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76807

摘要： 在一种制造双金属镶嵌互连的方法中，确保了可靠的沟槽轮廓。该方法包括：在衬底上形成下部互连部件，在下部互连部件上形成电介质层，在电介质层上形成硬掩模，通过使用硬掩模作为蚀刻掩模在电介质层中形成通孔，通过对硬掩模进行构图形成界定沟槽的沟槽硬掩模，形成和通孔相连接的沟槽，在其中使用沟槽硬掩模作为蚀刻掩模部分蚀刻电介质层形成上部互连线，并使用湿法蚀刻清除沟槽硬掩模，以及通过使用互连材料填充沟槽和通孔来形成上部互连线。