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公开(公告)号：CN116978917A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310456714.2
申请日：2023-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：像素分离部，在基板中并配置为分离像素，像素包括第一像素，像素分离部包括至少部分地限定第一像素的第一至第四侧壁；第一源极跟随器栅电极，在第一像素上并与第一侧壁和第二侧壁相邻；第一杂质区，与第一侧壁和第二侧壁相遇的第一拐角相邻；第二杂质区，与第二侧壁和第三侧壁相遇的第二拐角相邻；以及第三杂质区，与第一侧壁和第四侧壁相遇的第三拐角相邻。第一至第三杂质区与第一源极跟随器栅电极相邻。第二杂质区和第三杂质区彼此电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116895670A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310369109.1
申请日：2023-04-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金净惠
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器。图像传感器包括：第一基板，包括彼此相对的第一侧和第二侧，以及有源区；多个像素区，每个像素区包括在第一基板中的光电转换层；像素隔离图案，将多个像素区彼此分开，并沿着垂直于第一基板的第一侧的方向延伸；以及第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，对应于多个像素区中的第一像素区。第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管共享有源区内的公共源极/漏极区。
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公开(公告)号：CN111048533A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910633453.0
申请日：2019-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/144 , H01L31/0232 , G02B6/42
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)器件，其包括光学IC衬底、位于所述光学IC衬底内部的局部沟槽和光电元件，所述光电元件包括掩埋在所述局部沟槽内部的光电转换层。所述光电转换层掩埋在所述光学IC衬底中的所述局部沟槽内部以形成所述光电元件。因此，所述IC器件可以抑制所述光学IC衬底的翘曲。
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公开(公告)号：CN111048533B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN201910633453.0
申请日：2019-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)器件，其包括光学IC衬底、位于所述光学IC衬底内部的局部沟槽和光电元件，所述光电元件包括掩埋在所述局部沟槽内部的光电转换层。所述光电转换层掩埋在所述光学IC衬底中的所述局部沟槽内部以形成所述光电元件。因此，所述IC器件可以抑制所述光学IC衬底的翘曲。
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公开(公告)号：CN118352370A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410041519.8
申请日：2024-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底以及第一共享像素和第二共享像素，第一共享像素和第二共享像素在横跨衬底的第一方向上彼此相邻地延伸。共享像素中的每一个包括：多个浮置扩散区域，其位于衬底内的间隔开的位置处；以及多个间隔开的源极跟随器栅极，其电连接到多个浮置扩散区域。提供了深沟槽隔离结构，其在衬底内延伸并且至少部分地将第一共享像素和第二共享像素彼此分隔开。提供了接触阻挡结构，其在衬底上延伸，与深沟槽隔离结构竖直地重叠，至少部分地将第一共享像素和第二共享像素彼此分隔开，并且被布置成具有在与第一方向正交的第二方向上的长轴并且在第一共享像素的源极跟随器栅极和第二共享像素的源极跟随器栅极之间。
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公开(公告)号：CN116525627A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310061278.9
申请日：2023-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括第一结构和在竖直方向上堆叠在第一结构上的第二结构，第一结构包括分别与第一浮置扩散区域和第二浮置扩散区域电连接的第一像素焊盘和第二像素焊盘以及在第一像素焊盘与第二像素焊盘之间贯穿并且与第一接地结构电连接的第一耦合抑制线，第二结构包括分别与第一源极跟随器栅极和第二源极跟随器栅极电连接的第三像素焊盘和第四像素焊盘以及在第三像素焊盘与第四像素焊盘之间贯穿并且与第二接地结构电连接的第二耦合抑制线。
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