公开(公告)号：CN119742274A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411346939.3

申请日：2024-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 杨进 ,  金又坪

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538

Abstract: 这里公开了封装器件和形成该封装器件的方法。该封装器件包括具有第一晶粒层的第一基板、具有第二晶粒层的第二基板、以及接触第一晶粒层和第二晶粒层的第三晶粒层。第三晶粒层具有比第一晶粒层和第二晶粒层更小的平均晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN120072754A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202411710776.2

申请日：2024-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： Y·李 ,  金又坪

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/64 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  G06F3/044

Abstract: 提供了一种半导体封装，包括包含贯穿玻璃通路的玻璃基板、在玻璃基板的下表面上的第一再分布层、在玻璃基板的上表面上的第二再分布层、以及被包括在玻璃基板、第一再分布层和第二再分布层中的至少一个中的至少一个集成堆叠电容器。

公开(公告)号：CN119815840A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411404973.1

申请日：2024-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 杨进 ,  金又坪

IPC: H10B80/00 ,  H01L23/538

Abstract: 一种半导体封装可包括：第一再分配线结构；在第一再分配线结构上的管芯；在管芯的第一表面上的第一存储器器件；第二再分配线结构，所在管芯的与第一表面相对的第二表面上；第二存储器器件，在第二再分配线结构上；以及至少一个半导体芯片，在第二再分布线结构上并且电连接到第一存储器器件和第二存储器器件。第一存储器器件可以是静态RAM(SRAM)，并且第二存储器器件可以是动态RAM(DRAM)。

公开(公告)号：CN119252832A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202410874784.4

申请日：2024-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张睿 ,  金炅洙 ,  金又坪

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/522

Abstract: 本公开涉及半导体封装和包括其的半导体装置。该半导体封装包括芯层、在芯层上的集成堆叠电容器(ISC)、在芯层上的其中嵌入ISC的一个或更多个堆积层、以及在芯层上的一个或更多个金属层。