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公开(公告)号：CN114026554B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202080047025.0
申请日：2020-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种处理器。所述处理器包括被配置为以矩阵形式布置的多个处理元件和控制器，其中，所述控制器被配置为在多个周期期间控制所述多个处理元件处理目标数据，控制第一处理元件使得每个第一处理元件对从相邻第一处理元件提供的数据和输入的第一元素进行运算，并且将包括在所述多个元素中的第二行中的每个第二元素输入到所述多个处理元件中的布置在第二行中的第二处理元件，控制第二处理元件，使得每个第二处理元件对从相邻第二处理元件提供的数据和输入的第二元素进行运算，并且对从第一处理元件中的同一列中的相邻第一处理元件提供的数据和预先存储的运算数据进行运算。
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公开(公告)号：CN114026554A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202080047025.0
申请日：2020-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种处理器。所述处理器包括被配置为以矩阵形式布置的多个处理元件和控制器，其中，所述控制器被配置为在多个周期期间控制所述多个处理元件处理目标数据，控制第一处理元件使得每个第一处理元件对从相邻第一处理元件提供的数据和输入的第一元素进行运算，并且将包括在所述多个元素中的第二行中的每个第二元素输入到所述多个处理元件中的布置在第二行中的第二处理元件，控制第二处理元件，使得每个第二处理元件对从相邻第二处理元件提供的数据和输入的第二元素进行运算，并且对从第一处理元件中的同一列中的相邻第一处理元件提供的数据和预先存储的运算数据进行运算。
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公开(公告)号：CN111788582B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201880089689.6
申请日：2018-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电子设备。所述电子设备包括：第一存储器，被配置为存储包括多个第一元素的第一人工智能(AI)模型；以及处理器，包括第二存储器。第二存储器被配置为存储包括多个第二元素的第二AI模型。所述处理器被配置为基于第二AI模型从输入数据获取输出数据。第一AI模型通过AI算法被训练。所述多个第二元素中的每一个第二元素包括在所述多个第一元素中的各个第一元素中包括的多个位中的至少一个较高位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118301938A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311304446.9
申请日：2023-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种垂直非易失性存储器装置。垂直非易失性存储器装置包括柱、围绕柱的侧表面的沟道层、围绕沟道层的侧表面的电荷隧穿层、围绕电荷隧穿层的侧表面并包括非晶氮氧化物的电荷捕获层、围绕电荷捕获层的侧表面的电荷阻挡层以及围绕电荷阻挡层的侧表面并沿电荷阻挡层的侧表面交替布置的多个分离层和多个栅电极。
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公开(公告)号：CN110678883B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201880034791.6
申请日：2018-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06V40/10 , G06V10/44 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 公开了一种电子装置。所述电子装置包括：存储器；以及处理器，针对从根据神经网络的学习产生的多个滤波器选择的每个主样式的滤波器检查用于对神经网络的输入数据进行滤波的操作命令，并且将检查的操作命令存储在存储器中。
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公开(公告)号：CN111788582A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201880089689.6
申请日：2018-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电子设备。所述电子设备包括：第一存储器，被配置为存储包括多个第一元素的第一人工智能(AI)模型；以及处理器，包括第二存储器。第二存储器被配置为存储包括多个第二元素的第二AI模型。所述处理器被配置为基于第二AI模型从输入数据获取输出数据。第一AI模型通过AI算法被训练。所述多个第二元素中的每一个第二元素包括在所述多个第一元素中的各个第一元素中包括的多个位中的至少一个较高位。
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