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公开(公告)号：CN110149655B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201910405719.6
申请日：2013-10-22
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供一种用于操作无线通信系统中的终端的方法。该方法包括：使用第一射频(RF)路径向主小区发送数据和使用第一RF路径从主小区接收数据中的至少一个，以及当次小区被禁用时，操作第二RF路径以针对在与主小区的频率不同的频率处的至少一个目标小区执行搜索和测量。
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公开(公告)号：CN114125944A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110584853.4
申请日：2021-05-27
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 公开了一种用于双连接系统中的用户设备的无线通信的装置和方法。用于双连接系统中的用户设备(UE)的无线通信的装置包括：存储器，提供用于存储从第一基站(BS)接收的第一数据和从第二BS接收的第二数据的缓冲器；和第一处理器，通过对第一数据和第二数据进行重排序来生成无线电承载(RB)，并且基于第一BS与第二BS之间的延迟来调整缓冲器的大小。
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公开(公告)号：CN112398599A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010805968.7
申请日：2020-08-12
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H04L1/18
摘要： 提供了一种通信系统、操作通信系统的方法及操作通信设备的方法。该通信系统包括:发送器，被配置为向接收器发送数据分组；以及接收器，被配置为从发送器接收数据分组，其中接收器被配置为：从发送器接收至少一个第一分组，确定在至少一个第一分组当中是否存在具有错误的第一失败的分组，发送请求对第一失败的分组的重传的第一状态报告，以及在从第一状态报告的发送起的预先确定的状态报告处理时段内发送请求对第一失败的分组的重传的第二状态报告，其中第一状态报告包括与从接收器到发送器的第一状态报告的发送时间相对应的第一时间信息，并且第二状态报告包括与从接收器到发送器的第二状态报告的发送时间相对应的第二时间信息。
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公开(公告)号：CN103794686A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310513215.9
申请日：2013-10-25
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/0075 , H01L33/10 , H01L33/32
摘要： 本发明公开了半导体发光器件及其制造方法，其中的一种制造半导体发光器件的方法包括在半导体单晶生长衬底上形成隔离图案。在半导体单晶生长衬底上由隔离图案限定的一个芯片单元区域中顺序生长第一导电型半导体层、有源层、和第二导电型半导体层，并且形成反射金属层以覆盖发光结构和隔离图案。在反射金属层上形成支撑衬底，并且从发光结构上去除半导体单晶生长衬底。然后将支撑衬底切割为单独的发光器件。
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公开(公告)号：CN110149655A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910405719.6
申请日：2013-10-22
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供一种用于操作无线通信系统中的终端的方法。该方法包括：使用第一射频(RF)路径向主小区发送数据和使用第一RF路径从主小区接收数据中的至少一个，以及当次小区被禁用时，操作第二RF路径以针对在与主小区的频率不同的频率处的至少一个目标小区执行搜索和测量。
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公开(公告)号：CN103794686B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201310513215.9
申请日：2013-10-25
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L33/007 , H01L33/0079
摘要： 本发明公开了半导体发光器件及其制造方法，其中的一种制造半导体发光器件的方法包括在半导体单晶生长衬底上形成隔离图案。在半导体单晶生长衬底上由隔离图案限定的一个芯片单元区域中顺序生长第一导电型半导体层、有源层、和第二导电型半导体层，并且形成反射金属层以覆盖发光结构和隔离图案。在反射金属层上形成支撑衬底，并且从发光结构上去除半导体单晶生长衬底。然后将支撑衬底切割为单独的发光器件。
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公开(公告)号：CN109585634B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201810834091.7
申请日：2018-07-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L33/62
摘要： 一种半导体发光装置包括：发光结构，其包括沿着第一方向在衬底上按次序堆叠的第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层，并且包括暴露出第一导电类型的半导体层的暴露区。第一接触电极在暴露区中，第二接触电极在第二导电类型的半导体层上，并且绝缘层覆盖发光结构。分离的电极焊盘穿过绝缘层以电连接至第一接触电极和第二接触电极。第一电极焊盘和第二电极焊盘中的至少一个的侧表面可延伸以沿着第一方向与衬底的侧表面共面。
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公开(公告)号：CN114554076A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111411025.7
申请日：2021-11-25
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H04N5/232
摘要： 提供了一种电子设备。该电子设备包括第一和第二图像传感器、图像信号处理器和主处理器。第一和第二图像传感器拍摄第一和第二FOV中的对象，以分别生成第一和第二信号。图像信号处理器基于第一信号生成第一图像数据，基于第二信号生成第二图像数据，并且基于从第二图像数据裁剪ROI生成经裁剪的图像数据。主处理器基于第一图像数据生成第一视频流，基于经裁剪的图像数据生成第二视频流，并将第一视频流输出到显示设备。响应于接收到用户输入命令，主处理器停止向显示设备输出第一视频流并且开始向显示设备输出第二视频流。
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公开(公告)号：CN109585634A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810834091.7
申请日：2018-07-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/38 , H01L21/78 , H01L21/7806 , H01L21/782 , H01L21/784 , H01L23/544 , H01L27/156 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L33/62
摘要： 一种半导体发光装置包括：发光结构，其包括沿着第一方向在衬底上按次序堆叠的第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层，并且包括暴露出第一导电类型的半导体层的暴露区。第一接触电极在暴露区中，第二接触电极在第二导电类型的半导体层上，并且绝缘层覆盖发光结构。分离的电极焊盘穿过绝缘层以电连接至第一接触电极和第二接触电极。第一电极焊盘和第二电极焊盘中的至少一个的侧表面可延伸以沿着第一方向与衬底的侧表面共面。
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