公开(公告)号：CN106784221B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201611209700.7

申请日：2016-12-23

申请人： 华南理工大学

发明人： 黄华茂 ,  王洪 ,  胡晓龙 ,  杨倬波 ,  文如莲 ,  施伟

IPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： B82Y40/00 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20

摘要： 本发明公开了一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片及其制备方法。该宽带高效GaN基LED芯片为倒装结构，由下至上依次包括衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n‑GaN层、量子阱层、电子阻挡层、p‑GaN层、金属反射镜层、钝化层、p‑电极层、n‑电极层、p‑电极孔和n‑电极孔；所述金属反射镜层的底面连接p‑GaN层的表面处具有微米‑纳米复合金属结构。微米金属结构包含交替出现的凸起部分和凹槽部分；凸起部分延伸至量子阱附近，实现高效SP‑MQW耦合；凹槽部分覆盖在p‑GaN表面，使p‑GaN层具有足够的厚度注入空穴；纳米金属结构分布在微米金属结构与p‑GaN的分界面上。

公开(公告)号：CN109716508A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780038465.8

申请日：2017-06-13

申请人： 克罗米斯有限公司

发明人： 弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫 ,  杰姆·巴斯切里 ,  莎丽·法伦斯

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/20 ,  H01L21/30 ,  H01L27/12 ,  H01L33/02

CPC分类号： H01L21/0242 ,  C23C16/401 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  C30B29/06 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/02

摘要： 一种制造陶瓷衬底结构的方法，包括：提供陶瓷衬底，将陶瓷衬底封装在阻挡层中，和形成联接到阻挡层的键合层。该方法进一步包括移除键合层的一部分以暴露阻挡层的至少一部分并限定填充区域，和在暴露的阻挡层的至少一部分以及填充区域上沉积第二键合层。

公开(公告)号：CN109390445A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201811018286.0

申请日：2018-09-03

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 马晓华 ,  武玫 ,  郝跃 ,  王瑜 ,  马佩军

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12

摘要： 本发明涉及一种基于转移技术的高导热N面GaN外延结构的制作方法，包括步骤：S1.选取衬底；S2.在所述衬底上依次生长AlN成核层、GaN缓冲层，AlN插入层以及AlGaN势垒层；S3.在所述AlGaN势垒层上生长金刚石层；S4.依次去除所述衬底、所述AlN成核层和所述GaN缓冲层的第一部分，其中所述GaN缓冲层包括第一部分和第二部分，所述第二部分为GaN层；S5.处理所述GaN层的表面，得到N面GaN外延结构。该外延结构采用转移取代直接生长，克服了较为困难的生长工艺；该器件采用金刚石作为器件衬底，具有良好的导热能力。

公开(公告)号：CN109192831A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201810804143.6

申请日：2018-07-20

申请人： 华灿光电(浙江)有限公司

发明人： 郭炳磊 ,  王群 ,  葛永晖 ,  吕蒙普 ,  胡加辉 ,  李鹏

IPC分类号： H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32

摘要： 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层、所述电子阻挡层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述电子阻挡层包括氮化钪铝层。本发明通过将电子阻挡层的材料从氮化铝镓改为氮化钪铝，氮化钪铝的能级较高，可以有效阻挡电子跃迁到P型半导体层中与空穴进行非辐射发光。同时氮化钪铝的晶格与氮化镓的晶格比较匹配，可以缓解蓝宝石和氮化镓之间晶格失配产生的应力和缺陷，提高电子阻挡层的晶体质量，可以保证电子阻挡层对电子的阻挡效果。

公开(公告)号：CN109148660A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810947741.9

申请日：2018-08-20

申请人： 浙江大学

发明人： 孙一军 ,  程志渊 ,  盛况 ,  周强 ,  孙颖

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075

摘要： 本发明提出一种提高LED生产效率的复合缓冲层外延结构，所述外延结构为由蓝宝石衬底、复合缓冲层、非故意掺杂高温GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层依次层叠的层叠结构。本发明的外延结构在蓝宝石衬底与非故意掺杂高温GaN层之间没有低温GaN缓冲层，只有复合缓冲层，且复合缓冲层为采用非MOCVD方法制备的Al2O3/AlN周期性结构。这种结构不仅可以提高GaN基LED发光效率，而且可以提高生产效率，降低生产成本。

公开(公告)号：CN108963040A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810491807.8

申请日：2018-05-22

申请人： 深圳市光脉电子有限公司

发明人： 吉爱华 ,  李锋 ,  叶浩文

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/325

摘要： 一种高显色白光光源结构，从下到上依次包括：白光外延结构，白光外延结构从下到上依次层叠设置有钻石衬底、GaBi过渡层、N‑GaN接触层、In0.19Ga0.81N/GaN多量子阱发光层、P‑GaN接触层、N‑GaN级联层、N‑GaN接触层、In0.48Ga0.52N/GaN多量子阱发光层、P‑GaN接触层，N‑GaN接触层上方设有N电极层，以及P电极层。本发明摆脱了荧光粉的束缚，其显色性好、稳定性好、发光质量好，提高了工作稳定性和使用寿命，省去了封装部分工序，可以使白光的晶体生长，同时整个产业链的生产工艺简化，生产效率大大提高，工业化大量生产易于实现；采用自制胶水模压一次成型，使白光光源结构的内应力低，且翘曲变形也很小，提高了光效，优化了工艺，机械性能较稳定，产品可靠性高，大幅度降低成本。

公开(公告)号：CN108962789A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810660615.5

申请日：2018-06-25

申请人： 开发晶照明(厦门)有限公司

发明人： 洪盟渊

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/67132 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079

摘要： 本发明实施例涉及微器件转移方法及设备。其中，微器件转移方法例如包括：提供转移基板，其中所述转移基板包括透明衬底、位于所述透明衬底的第一表面上的光辐射失粘层和以阵列方式排布在所述光辐射失粘层上的多个微器件；从所述透明衬底的第二表面局部照射所述光辐射失粘层，以减小所述光辐射失粘层的多个目标区域对于分别位于所述多个目标区域内的所述微器件的粘性，其中所述多个目标区域为与欲被转移微器件相对应的区域；拾取位于所述多个目标区域内的所述微器件；以及将拾取的所述微器件对准承载基板的相应位置、并释放到所述承载基板上。本发明可以实现制程简单、工艺简化等优点。

公开(公告)号：CN106165126B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201580015794.1

申请日：2015-02-23

申请人： 传感器电子技术股份有限公司

发明人： M·S·沙塔洛夫 ,  杨锦伟 ,  A·多布林斯基 ,  M·舒尔 ,  R·加斯卡

IPC分类号： H01L33/12

CPC分类号： H01L33/12 ,  G06F17/505 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

摘要： 提供了包含缓冲结构和邻近该缓冲结构的第一面形成的一组半导体层的半导体结构。该缓冲结构能够具有有效的晶格常数以及厚度使得该组半导体层内的总体应力在室温下为压缩性的并且在大约0.1GPa和大约2.0GPa之间的范围内。能够使用一组生长参数来生长该缓冲结构，该组生长参数经选择以实现目标有效的晶格常数a，控制在该缓冲结构的生长过程中存在的应力，和/或控制在冷却该半导体结构后存在的应力。

公开(公告)号：CN104733365B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201410804463.3

申请日：2014-12-19

申请人： 首尔伟傲世有限公司

发明人： 张锺敏 ,  李熙燮 ,  卢元英 ,  蔡钟炫 ,  李俊燮 ,  徐大雄 ,  金贤儿 ,  裴善敏

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/02647 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  Y10T117/10

摘要： 本发明公开一种半导体生长用模板、基板分离方法及发光元件制造方法。所述半导体生长用模板包括：生长基板；种子层，位于所述生长基板上，并且包括一个以上的沟槽，其中，所述沟槽包括上部沟槽及下部沟槽，所述上部沟槽的宽度可小于所述下部沟槽的宽度。根据本发明，可利用应力剥离容易地从外延层分离生长基板。

公开(公告)号：CN108807628A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810415769.8

申请日：2018-05-03

申请人： 五邑大学

发明人： 杨为家 ,  何鑫 ,  刘俊杰 ,  刘铭全 ,  刘艳怡 ,  王诺媛 ,  蒋庭辉 ,  江嘉怡 ,  刘均炎

IPC分类号： H01L33/14 ,  H01L33/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L33/14 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/0075

摘要： 本发明公开了一种基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜，所述基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜包括晶体Ag纳米线网格和包裹所述晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜。本发明采用基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜作为LED芯片的电流注入层，可以有效改善电流分布的均匀性，电流密度比ITO提高10％以上；与ITO相比，Ag纳米线网格增强Al掺杂ZnO薄膜的厚度减小，成本也显著降低；基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜排列的周期性好，具备一定的光子晶体的功能，有利于提高LED的正面出光效率。